Читайте также:
|
|
БТ – полупроводниковый элемент, с 2мя p-n переходами и тремя выводами, кот. служит для улучшения сигналов.
Транзистор состоит из 2х противоположно-включенных диодов, которые обладают одним общим p- или n- слоем. Электрод, связанный с ним, называется База. Обычно переход ЭБ – открыт, а БК – заперт, т.е. приложенное напряжение препятствует протеканию тока через него. Uкэ > Uбэ.
Uбэ = Uб-Uэ – это управляющий сигнал
Iэ = Iб + Iк. Далее, β – коэф-нт усиления (>= 10)
Iк = β * Iб – определяет основное св-во транзистора: небольшой ток Б управляет большим током К.
Усиление сигнала с помощью БТ.
Входное напряжение, которое надо усилить, подается от источника колебаний на участок БЭ. На Б также подано положительное смещение от источника E1, являющееся прямым напряжением для Э перехода. Цепь К питается от источника Е2. Для усиления Uвых в эту цепь включена нагрузка Rн. Напряжение источника E2 делится между сопр нагрузки Rн и сопр транзистора rтр. Если во входную цепь включается сточник колебаний, то при изменении его напряжения меняется ток эмиттера Iэ => rК0 => E2. Схемы включения:
1) с ОЭ – первая схема в этой шпаргалке.
2) с ОК: (Эмиттерный повторитель, используется для согласованя источников сигналов и нагрузок) + Сильная ООС
«+»: Сильная ООС
«-»: низкое Rвых, малая темпер. стабильность
3) c ОБ:
«+»: Темпер стабильн, высокий частотный диапазон
«-»: Меньше усиления по мощности
Параметры и хар-ки БТ. Режимы работы БТ.
- это Iб = f(Uбэ) – входная хар-ка (имеед вид ВАХ)
- это б. Iк = f(Uкэ) – выходная.
Это всё хар-ки n-p-n типа с ОЭ.
В режиме отсечки транзистор заперт, в режиме насыщения – полностью открыт и не реагирует на ВХ сигнал.
Режимы работы:
Активный – на Э переход прямое напряжение, на К – обратное.
Насыщения – оба перехода находятся под прямым напряжением.
Отсечения – к обоим переходам – обратное напряжение.
Параметры:
- Коэф. усиления по току: Кi = ∆Iвых/∆Iвх.
- по напряжению: Ku = ∆Uвых/∆Uвх.
- ВХ сопротивление: Rвх = Uвх/Iвх.
- ВЫХ сопр: Rвых = Uвых/Iвых.
Дата добавления: 2015-10-26; просмотров: 295 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Полупроводниковые диоды. Параметры, разновидности, характеристики. | | | Режимы усиления тр-ов в усилительных каскадах. |