Мікросхема файлової флеш-пам'яті 28F008SA

Мікросхема файлової флеш-пам'яті 28F008SA розроблена фірмою Intel у 1989 р. на основі нової технології ETOX III (EPROM Tunnel Oxide). До особливостей технології ETOX III відносяться:

· роздільна здатність – 0,8 мкм;

· застосування однотранзисторних ЕП на ЛІЗМОН-структурах з розмірами 2,5 х 2,9 мкм і плаваючим полікремневим затвором.

В основі програмування флеш-пам'яті лежить механізм канальної інжекції гарячих електронів. Під час програмування керуючий затвор ЕП підключається до зовнішньої напруги UPR = 12 В. Прі стиранні електрони одночасно витісняються в усіх вибраних ЕП зворотним туннуванням. Структуру мікросхеми 28F008SA показано на рис. 6.13. Вона є типовою для флеш-пам'яті.

Рис. 6.13. Структура СБІС 28F008SА

Опишемо основні компоненти мікросхеми та їх функціональне призначення. Мікросхема 28F008S>4 містить:

· матрицю ЕП ємністю 8 Мбіт з організацією 1 М х 8 біт, яку розбито на 16 блоків по 64 Кбайт в кожному (блок складається з 1024 рядків і 512 стовпчиків);

· буфер адреси ВА, регістр RGA і лічильник СТА адреси, при цьому буфер ВА сполучений з адресними входами А19-a0, а при зверненні до пам'яті адреса фіксується в регістрі, з якого він подається на дешифратори рядків DCX і стовпчиків DCY;

· буфери вхідних BID і вихідних BOD даних, при чому обмін даними здійснюється по двонаправлених входах-виходах D7-D0, вхідна інформація записується у внутрішній регістр даних RGD, а вихідні дані з матриці ЕП через мультиплексор MUX подаються на вихід через буфер BOD. Обидва буфери мають по три стани;

· регістр-ідентифікатор RID, який призначений для видачі коду фірми- розробника і коду мікросхеми;

· командний інтерфейс (блок команд) користувача CUI (Command User Interface), у складі якого є регістр команд RGK, блок CUI виконує роль інтерфейсу між мікропроцесором і внутрішніми операціями в мікросхемі;

· автомат записування байта і стирання блоку WSM (Write State Machine), який сприймає команди від блоку SUI і автоматично виконує алгоритм записування байта або стирання блоку з подальшою перевіркою результату, записування даних в пам'ять виконується побайтно з типовим часом 9 мкс, при цьому типовий струм споживання від джерела програмування IPR < 30 мА, а напруга записування байта і стирання блоку UPR = 12 В);

· регістр стану RGS (Status Register); зберігає інформацію про стан автомата WSM і служить для контролю корекції операцій записування або стирання;

· компаратор СОМР, що використовується при контролі правильності записування байта даних;

· комутатор напруги KUPR.

Дата добавления: 2015-10-24