Порядок проведения экспериментов

Эксперимент 1. Определение статического коэффициента передачи транзистора по постоянному току β_DC в схеме с ОЭ.

Построить и включить схему, изображенную на рисунке 3.4.

Рисунок3. 4 - Схема включения биполярного транзистора с ОЭ

Записать результаты измерения тока коллектора I_K, тока базы I_Б и напря­жения коллектор-эмиттер U_KЭ в таблицу 3.1 раздела "Результаты эксперимен­тов". По полученным результатам подсчитать статический коэффициент пере­дачи тока β_DC транзистора. Повторить измерения и расчет коэффициента пере­дачи для значений Eb = 2,68В; 5В. Результаты занести в таблицу.

Эксперимент 2. Измерение обратного тока коллектора.

На схеме рисунок 3.4 изменить номинал источника ЭДС Eb = 0 В. Вклю­чить схему. Записать результаты измерения тока коллектора I_K для данных зна­чений тока базы I_Б и напряжения коллектор-эмиттер U_KЭ в раздел "Результаты экспериментов".

Эксперимент 3. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

а) В схеме (рисунок 3.4) провести измерения тока коллектора I_k для каж­дого значения Е_к и Еb и заполнить таблицу 3.2 в разделе "Результаты экспери­ментов". По данным таблицы построить семейство выходных характеристик транзистора с ОЭ, график зависимости I_k от Е_к, при различных значениях тока базы I_Б.

б) Собрать схему, изображенную на рисунке 3.5. Отобразить осциллограмму выходной характеристики, соблюдая мас­штаб, в разделе "Результаты экспериментов". Повторить измерения для каждо­го значения Еb из таблицы 3.2. Осциллограммы выходных характеристик для разных токов базы отобразить в разделе "Результаты экспериментов" на одном графике.

в) По выходной характеристике найти коэффициент передачи транзисто­ра по переменному току β_AC при изменении базового тока с 10 мА до 30 мА, Е_к = 10 В. Результат записать в раздел "Результаты экспериментов".

Рисунок 3. 5 - Схема для получения выходных характеристик транзистора с ОЭ

Эксперимент 4. Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

а) Собрать схему (рисунок 3.4). Установить значение напря­жения источника Е_к равным 10 В и провести измерения тока базы I_Б, напряже­ния база-эмиттер U_БЭ тока эмиттера I_Э для различных значений напряжения ис­точника Еb в соответствии с таблицей 3.3 в разделе "Результаты эксперимен­тов". Обратить внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.

б) В разделе "Результаты экспериментов" по данным таблицы 3.3 постро­ить график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.

в) Собрать схему, изображенную на рис. 3.6. Вклю­чить схему. Отобразить входную характеристику транзистора, соблюдая мас­штаб, в разделе "Результаты экспериментов".

Рисунок 3.6 - Схема для получения входных характеристик транзистора с ОЭ

г) По входной характеристике найти дифференциальное сопротивление R_bx при изменении базового тока с 10мА до 30 мА. Результат записать в раздел "Результаты экс­периментов".

Дата добавления: 2015-10-24