Читайте также: |
|
Для используемого транзистора начальное смещение должно быть положительным UЗИ > 0. (p – n переход должен находиться под запирающим напряжением).
Для этого а цепь истока включают резистор RИ на котом возникает падении напряжения:
URИ = Iин ∙ Rи
Т. к. R3 = ∞ то потенциал затвора UЗ = 0, а потенциал истока Uи = URИ,
следовательно Uиз = URИ.
Расчет параметров схемы следует выполнять в следующей последовательности:
1. задается начальный ток истока Iсо
2. определяется напряжение Uзи соответствующее этому току из передаточной характеристики.
3. определяем cопротивление в цепи тока
4. Значение начального значения напряжения Ucи0 выбирается таким образом, чтобы при максимальной амплитуде выходного сигнала Ucи max не превышало значение Ucи.нас.
Т.о. предотвращается появление искажений, которые могут возникнуть при заходе рабочей точки в область 1.
UСИ.0 > UИ +UСИ.НАС +|UВЫХ.MAX|
Т.к. UИ = -UЗИ ; а UСИ.НАС = UЗИ - UЗИ.ОТС
то UСИ.0 > |UЗИ.ОТС|+|UВЫХ.MAX|
5. Определяем величину сопротивления нагрузки:
6. Крутизна характеристики транзистора в рабочей точке:
7. Коэффициент усиления по напряжению в рабочем диапазоне частот:
Назначение и выбор конденсаторов С1, С2,, Сn аналогично назначению и расчету в схемах усилителей на БТ.
Широкое применение находят ключи на полевых транзисторах.
Рассмотрим схему ключа на МДП транзисторе с встроенным каналом n-типа.
В открытом состоянии ключа напряжение на транзисторе мало
Ucи н =0
Ток или ,
где S-крутизна ПТ, - напряжение отсечки ПТ
Открытое состояние ключа поддерживается при выполнении условия:
Для запертого состояния ключа при котором Ic = 0 и Uси = Ес необходимо подать на затвор транзистора
Дата добавления: 2015-07-08; просмотров: 333 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Полевые транзисторы МДП типа | | | Обеднение |