Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Полевые транзисторы с p-n переходом

Читайте также:
  1. МДП-транзисторы в ключевом режиме
  2. МДП-транзисторы с индуцированным каналом
  3. МДП-транзисторы со встроенным каналом
  4. Полевой транзистор с управляющим р-n переходом
  5. ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С УПРАВЛЯЮЩИМ р-п ПЕРЕХОДОМ
  6. ПОЛЕВЫЕ ЗАМЕТКИ
  7. ПОЛЕВЫЕ ЗАМЕТКИ

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Биполярные транзисторы нашли чрезвычайно широкое применение в различных областях электронной техники.

Но т.к. биполярные транзисторы управляются током, т.е. потребляют заметную мощность от входной цепи, их использование при подключении к маломощным источникам входных сигналов затруднительно.

Указанного недостатка лишены полевые (униполярные) транзисторы, управляемые электрическим полем, которые практически не потребляют тока из входной цепи.

Полевые транзисторы подразделяются на два типа, отличающиеся принципом действия:

1. с p-n переходом

2. МДП (МОП) – типа

 

 

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С p-n переходом

структура транзистора имеет вид:

 

Слой с проводимостью p-типа называется каналом. Он имеет два вывода во внешнюю цепь: С – сток, Иисток. Слои с проводимостью n, окружающие канал, соединены между собой и имеют вывод во внешнюю цепь, называемый затвором З.

Существуют также полевые транзисторы с каналом n-типа, направления токов и полярность приложенных напряжений противоположны.

 

Схемные обозначения ПТ с p-n переходом

Принцип действия полевого транзистора с каналом p-типа

А. При управляющем напряжении Uзи=0

Выходной ток полевого транзистора(ток стока Ic) зависит от напряжения Uси , приложенного между стоком и истоком. При Uси=const и Rc = const ток Ic зависит от эффективной площади поперечного сечения канала.

При увеличении Uси ток Ic возрастает (участок 1). Напряжение Uси вызывает обратное смещение p-n перехода между каналом и n-слоем, причем наибольшее смещение (напряжения) будет в области, прилегающей к стоку.

Далее с увеличением Uси область p-n перехода увеличивается и уменьшается токопроводящее сечение канала, что приводит к уменьшению тока Ic. При Uси= Uси нас области p-n переходов смыкаются и ток перестает возрастать. Uси нас – напряжение насыщения.

Наступает насыщение и сопротивление канала возрастает до нескольких МОм.

Б. При приложении Uзи > 0.

p-n переход еще больше смещается в область обратного напряжения. В результате канал, проводящий ток сужается и ток Ic уменьшается.

Увеличивая Uзи можно уменьшить Ic. Подключив последовательно с Eзи источник усиливаемого переменного напряжения Uвх можно изменять ток в канале Ic по закону изменения входного напряжения.

При определенном значении Uзи.отс называемым напряжением отсечки, ток стока Ic = 0

 
 

Семейство выходных характеристик транзистора Ic=f(Ucu) Uзи=CONST

 
 

Передаточная характеристика Ic=f(Uзи) Uси=CONST

Ток затвора очень мал (10-10 – 10-7), так как он является обратным током p-n перехода.


Дата добавления: 2015-07-08; просмотров: 121 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Ключевой режим работы полевых транзисторов.| Полевые транзисторы МДП типа

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)