RAM
D0 D1
...
Dm
а)
A0... An
t
CS
t
D0... Dm
t
RD
t
WR
t
T1 t2
б)
A0... An
t
CS
t
D0... Dm
t
WR
t
RD t
TWR
в)
Рис. 1.36. Багаторозрядне ОЗП: а) умовна позначка; б), в) тимчасові діаграми читання й запису
PROM (Programmable Read Only Memory) – однократно програмувальні ПЗП. Запис інформації в них здійснюється за допомогою спеціального пристрою, який називається програматором.
EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) – багаторазово перепрограмувальні ПЗП. Запис інформації здійснюється за допомогою програматора, стирання – шляхом ультрафіолетового опромінення мікросхеми через спеціальне вікно в корпусі.
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) – електрично програмувальні та такі ПЗП, що стираються. Запис і стирання інформації здійснюється за допомогою програматора.
Flash Memory – електрично програмувальні та такі ПЗП, що стираються. Інформація може записуватися й стиратися за допомогою електричних сигналів без застосування спеціальних програматорів. Використовується найчастіше для енергонезалежного зберігання даних.
У сучасних мікроконтролерах для зберігання програм широко використовуються ПЗП типу EEPROM із багаторозрядною організацією доступу до даних. У якості елементарної комірки пам'яті використовується тригер, що виконано на базі польового транзистора з утримуючою ємністю. Функціональна схема такої комірки зображена на рис. 1.37. При вирядженій
ємності
C 1 транзистор
VT 1
замкнено і на його виході втримується високий
рівень сигналу (логічна 1). Заряд ємності проводиться при програмуванні ПЗП й у тих бітах, які повинні зберігати стан нуля. Для керування зарядом і розрядом ємності C 1 використовуються електронні ключі ЕК1 і ЕК3.
Рис. 1.37. Елементарна комірка ОЗП
При стиранні ПЗП керуючий сигнал подається на ключ ЕК1 і ємність
розряджається через діод
VD 1. Після стирання всі комірки пам'яті
встановлюються в одиничний стан. Керування записом інформації виконується
за допомогою ключа ЕК3. Під час його відмикання на ємність
C 1 надходить
сигнал з лінії даних (Di). Його високий рівень виробляє заряд ємності.
Зчитування інформації із
VT 1
проводиться через ключ ЕК2, для чого повинен
бути сформований керуючий сигнал на лінії RD. Оскільки електронні ключі забезпечують лінії із трьома станами, то вхід і вихід комірки пам'яті об'єднано.
Спосіб організації ПЗП є аналогічним організації багаторозрядного ОЗП. При звичайній роботі із ПЗП проводиться тільки зчитування інформації, тому на схемах умовних позначок лінії запису й стирання часто не зображуються. На рис. 1.38 наведено умовну позначку й тимчасову діаграму роботи ПЗП.
У ПЗП є два керуючих входи RD й CS, а також адресні входи
A 0... An.
ємність ПЗП становить 32К. З тимчасових діаграм можна побачити
послідовність формування вхідних сигналів. Спочатку встановлюється адреса, потім формується сигнал CS і далі сигнал RD. Читання інформації повинно відбутися в проміжку між t 1... t 2.
А0 А1
...
Аn
RD CS
RОM
D0 D1
...
Dm
а)
A0... An
t
CS
t
Дата добавления: 2015-07-08; просмотров: 255 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| RD RD RD | | | D0 ... Dm |