Принципы работы динамической памяти

Еще Майкл Фарадей, проводя опыты по прохождению электрического тока через конденсатор, заметил, что последний способен хранить информацию о начальных условиях. Это свойство конденсатора, или просто емкости, и используется при построении элемента динамической памяти. Рассмотрим незаряженный конденсатор, когда разность потенциалов между его клеммами равна нулю. Приложим на некоторое время к конденсатору напряжение, равное напряжению питания. А что значит "некоторое время"? А это такое время, за которое заряд успеет перетечь с входных клемм на обкладки конденсатора. По истечению этого времени отключим конденсатор от нашего источника. Теоретически этот конденсатор будет хранить наше напряжение бесконечно долго, таким образом становясь подобным триггеру на двух транзисторах.

Все это было бы хорошо, если бы не реальная жизнь. В качестве диэлектрика используется оксидная пленка какого-нибудь металла (скажем, алюминия). Эта диэлектрическая пленка обладает хоть и малой, но проводимостью, а следовательно, конденсатор начинает разряжаться через эту оксидную пленку, тем самым выделяя на ней тепло и теряя информацию. Как только напряжение на емкости достигает минимально допустимого значения, мы вновь подключаем к конденсатору наше напряжение питания и вновь заряжаем его, после чего отводим клеммы. Вот эта процедура и есть всем известная и ненавистная процедура регенерации динамической памяти, которую каждый определенный промежуток времени проводит контроллер динамической памяти.

Для адресации динамической памяти используются не прямые адресные сигналы процессора, а адресные сигналы процессора, пропущенные через контроллер динамической памяти и еще сигналы CAS и RAS, вырабатываемые контроллером. Динамическая память имеет матричный принцип строения, и сигнал CAS стробирует выборку колонки, а сигнал RAS стробирует выборку ряда в этой колонке. Без сигналов CAS и RAS динамическая память становится бесполезной, так как способна хранить информацию без регенерации всего в течение нескольких микросекунд. На первый взгляд, в динамической памяти все плохо: и использование внешнего контроллера, и сложность управления. Но есть и значительные плюсы. Выполнить матрицу конденсаторов значительно проще, чем матрицу триггеров, достаточно "вставить" диэлектрики в нужных местах, а значит, динамическая память будет значительно дешевле статической. При необходимости создания динамической памяти большого объема тоже нет проблем, надо "вставить" диэлектрики чаще и быстрее проводить регенерацию. Поэтому динамическая память и получила большее распространение, чем статическая.

Динамическое ядро + статический интерфейс = SuperRAM

Когда-нибудь все мечты становятся реальностью. Мечтал человек получить динамическую память со статическим интерфейсом - и получил SuperRAM от AMIC Technology. Идея здесь предельно проста. Если для управления динамической памятью требуется дополнительный контроллер, то почему бы не встроить его в саму микросхему памяти. У читателя резонно возникнет вопрос: зачем это нужно? Ведь в современных микропроцессорах и микроконтроллерах есть интерфейсы динамической памяти? Отвечаю: да, вы правы, но микроконтроллеры, имеющие этот интерфейс, резко выделяются ценой, естественно в большую сторону. Далее, в подавляющем большинстве случаев это 32-разрядные процессоры, работающие с большой тактовой частотой, и применение к ним динамической памяти по меньшей мере нецелесообразно (если, конечно, не требуется больших объемов). Третье: большинство приложений до сих пор остались восьми-и шестнадцатиразрядными, где и контроллера DRAM нет, и быстродействие соответствующее, а вот объемы памяти зачастую требуются очень даже значительные. Вот именно для таких применений и существует SuperRAM от компании AMIC Technology.

Работа подобной памяти достаточно проста. Процедура регенерации динамического ядра SuperRAM происходит автоматически по истечению определенного времени (когда значения напряжения на емкостях упадут ниже критических), и стробирование происходит постоянно. При запросе процессором определенной ячейки адрес ее приходит на входной буфер микросхемы SuperRAM. И дальше, с первым же сигналом стробирова-ния отправляется к ядру SuperRAM, из которого и происходит выборка значений. Для процессора не имеет значения, что к нему подключена динамическая память, он работает с ней как с менее быстрой статической. Преимущества SuperRAM налицо: прямое сопряжение с совершенно любым процессором или устройством, у которого есть шина данных, адреса и сигналы выбора и записи, не требуется подключения дополнительного контроллера, осуществляющего регенерацию, большой объем за счет присутствия динамического ядра, низкая стоимость. Для примера приведем технические характеристики одного из последних представителей семейства SuperRAM от AMIC Technology - микросхемы A64E16161:

1. Объем: 32 Мбит, организованных 2 Мх 16 бит.

2. Время доступа по адресу: 70 нс.

3. Время доступа к странице: 25 нс.

4. Рабочий ток 20 мА, ток режима standby 10 мкА.

5. Полная совместимость с интерфейсом SRAM. Не требуется регенерации или стробирования.

6. Напряжение питания от 1,65 до 2,2 В.

Дата добавления: 2015-07-10