Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

High-K технология metal gate.

Транзисторы с двойным затвором. | Полевые транзисторы с затвором Шоттки. | Гетеротранзисторы | НЕМТ-транзисторы. | Резонансно-туннельные транзисторы. | Гетероструктурный транзистор на квантовых точках. | Транзисторы на основе одноэлектронного туннелирования. | Кремниевый одноэлектронный транзистор с двумя затворами. | Квантово-точечный КНИ транзистор. | Молекулярный одноэлектронный транзистор. |


Читайте также:
  1. CASE-технология
  2. Виды деятельности, связанные с информационными технологиями
  3. Главная вкладка ленты Excel. Технология ввода данных в MS Excel
  4. Диалог и монолог как технология ввода и вывода информации
  5. ДОСУГОВЫЕ ПРОГРАММЫ И ТЕХНОЛОГИЯ ПРОВЕДЕНИЯ ДОСУГОВЫХ ПРОГРАММ В РАБОТЕ ПЕДАГОГА ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
  6. ЖЕЛІЛІК ТЕХНОЛОГИЯЛАР

 

Так для транзисторов 45 нм разрешения и ниже (32 нм, 28 нм) предложено взамен SiO 2 использовать в качестве подзатворного диэлектрика диэлектрик по High-K технологии. Это диэлектрики совместимые с кремнием по механическим напряжениям и поверхностным состояниям, допускающие нанесение на поверхность подложек, выдерживающие последующие термические обработки и позволяющие реализовать современную литографическую гравировку высокого разрешения. При этом пленки моноатомных слоев должны быть термически стабильными и сохранять целостность, иметь минимальные токи утечки и не ухудшать подвижность носителей заряда в прилегающем полупроводнике. К таким диэлектрикам сегодня можно отнести двуокись гафния и двуокись циркония (HfO 2, ZrO 2). Их можно испарять методами магнетронного и электронно- лучевого распыления.

Относительная диэлектрическая постоянная у HfO 2 составляет 25, а у ZrO 2 - 20, тогда как у SiO 2 – 3,8. Более высокая диэлектрическая проницаемость этих диэлектриков позволяет обеспечивать приемлемую крутизну МОП транзисторов при более толстых подзатворных диэлектриках. При этом снижаются паразитные туннельные токи и токи утечки между затвором и другими областями транзистора. Для улучшения химического согласования с этими окислами в качестве материала затвора предлагают использовать HfSi и ZrSi, соответственно (силициды гафния и циркония).

Например, для транзистора с затвором длиной 30 нм и с подзатворным HfO 2 толщиной 3 нм получена крутизна транзистора такая же, как и при использовании SiO 2 толщиной 1,2 нм. При этом токи утечки затвора снизились почти на два порядка (более чем в 10 раз).

Допматериал. Формула порогового напряжения.

Вольтамперная характеристика идеального МДП транзистора, полученная в приближении плавного канала при учете только дрей­фовой составляющей тока и ряде других предположений может быть записана в виде:

где Z - ширина канала, L - длина канала, m - подвижность носителей заряда (м2/В*с), Cox - емкость подзатворного диэлектрика(Ф/м2), VG - напряжение на затворе, VD - напряжение на стоке, VT - пороговое напряжение.

Пороговое напряжение VT соответствует началу сильной инверсии (ys=2jo) т.е. формированию инверсионного канала и открытию транзистора. Наличие захваченного заряда в диэлектрике Qox и на поверхностных состояниях Qss, а также контактной разности потенциалов Dfms, приводит к сдвигу порогового напряжения:

В линейной области, когда справедлива формула (1) передаточная ВАХ ID(VG) также линейна и величина VT может быть найдена экстраполяцией графика к оси абсцисс (рис.1).

Рис 1. Передаточная ВАХ в линейной области

 

В области насыщения (в условиях отсечки канала) передаточная ВАХ МДП транзистора ID(VG) имеет квадратичную форму:

 

(3)

↑↑↑ Конец. Формула порогового напряжения

 

 

 

 

 

 

 

 


Дата добавления: 2015-10-28; просмотров: 148 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Кремниевые МДП транзисторы| КНИ МДП транзисторы.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)