Гетеротранзистор представляет собой транзистор, содержащий один или несколько гетеропереходов.
В гетеропереходах p- и n-области сформированы из полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. Необходимое условие — одинаковый тип решетки и близкие периоды решетки (а 0).
Полупроводники для гетеропереходов
| Полупроводник | E g, эВ | а 0 , нм | c, эВ |
| GaAs | 1,43 | 0,5654 | 4,07 |
| AlAs | 2,16 | 0,5661 | 2,62 |
| GaP | 2,20 | 0,5451 | 4,30 |
| InP | 4,38 | 0,5869 | 5,34 |
| Ge | 0,66 | 0,5658 | 4,13 |
| Si | 1,12 | 0,5431 | 4,01 |
Хорошие пары:
GaAs / AlxGa1-xAs (х < 0,4): 
Ge / Si (х < 0,3): 
Свойства GaAs, как основного и технологически наиболее отработанного материала.
Относительная молекулярная масса — 144,63 а.е.м.
Плотность в твёрдом состоянии — 5,32 г/см³, в жидком состоянии — 5,71 г/см³
Температура плавления tпл = 1238 °C
Твёрдость по минералогической шкале — 4,5
Ширина запрещённой зоны — 1,43 эВ
Кристаллы арсенида галлия кристаллизуются в решетке сфалерита
Постоянная решётки при 300 К равна 5,6533 Å
Расстояние между ближайшими соседними атомами — 2,45 Å
Электрофизические свойства нелегированного арсенида галлия зависят от состава и концентрации собственных точечных дефектов, концентрации остаточных примесей, режимов термообработки. Для получения монокристаллов с n- и p-типом проводимости используют легирование арсенида галлия электрически активными примесями. Основными легирующими примесями для получения монокристаллов n-типа являются S, Se, Te, Si, Sn, а для получения монокристаллов p-типа — Zn.
Для разработки полевых транзисторов используются гетероструктуры GaAs-AlGaAs, InGaAs-InP, InGaAs-AlGaAs, AlGaSb-InAs и т.д. Привлекательность InAs обусловлена высокой подвижностью электронов (почти в 2 раза выше, чем у GaAs). Интенсивные исследования последних лет позволили установить влияние состава широкозонного материала и уровня его легирования, толщины спейсера на концентрацию и подвижность носителей заряда в канале.
Таблица. Сравнение основных электрофизических параметров наиболее распространенных полупроводниковых материалов, используемых для изготовления дискретных мощных СВЧ приборов.
Рис. Зависимость максимальной мощности от частоты для дискретных приборов на основе различных полупроводниковых материалов.
Дата добавления: 2015-10-28; просмотров: 300 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Полевые транзисторы с затвором Шоттки. | | | НЕМТ-транзисторы. |