Выбор диодов неуправляемых выпрямителей UZ1 и UZ2.

Ток одного диода выпрямительного моста UZ1 (UZ2)

I _VD = k _з · I_dmax /(m · k _охл),

где k _з = 1.5 - коэффициент запаса;

m = 3 - количество фаз;

k_охл = 0,35 - коэффициент охлаждения, при естественном охлаждении;

I _VD = 1.5 · 125,96/(3· 0,35) = 179,943 A.

Максимальное обратное напряжение диода:

U _{обр. мах} = k_зн · ·2· Е_2к = 1,6 · ·2·172 = 778,383 В,

где к _зн=1,6 – коэффициент запаса по напряжению.

Из [ ] выбираем низкочастотные диоды ДЛ161-200-9 с охладителем О-171.

Выбор ключа UR

Импульсный регулятор выполнен на основе биполярного транзистора с изолированным затвором IGBT. Использование IGBT транзистора позволяет исключить из схемы управления систему распределения импульсов на тиристоры, блоки искусственного запирания и блоки подпитки, необходимые для них, но при этом длятранзистора необходимо наличие специального драйвера, который согласует работу системы управления и транзистора, а также выполняет защитные функции.

Для обеспечения высокого уровня надежности амплитудное значение тока коллектора должно быть не более 70 - 80 % от максимально допустимого значения постоянного тока коллектор-эмиттер.

Значение пикового напряжения V_CEmax должно быть не более 80 % от максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер.

Для защиты модулей от перенапряжений в цепи коллектор-эмиттер рекомендуется применение снабберных цепей.

При монтаже и эксплуатации необходимо принять меры по защите IGBT модулей от воздействия статического электричества и перенапряжений в цепи затвора (при монтаже обязательно применение персоналом заземляющих браслетов и заземленных низковольтных паяльников с питанием через трансформатор). Использование модуля при напряжениях питания значительно ниже, чем минимальное значение выбранного, нежелательно, так как при этом увеличиваются динамические потери.

Исходя из условий выбора ток коллектора:

Максимальное значение напряжения на ключе (напряжение):

Исходя из условий выбора:

Выберем из [ ]быстродействующий одиночный IGBT типа МТКИ-200-12 с внутренним обратным диодом со следующими параметрами:

максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, В 1200;

максимальный постоянный ток коллектора при 70 º С, А 200,

повторяющийся импульсный ток коллектора, А 300;

температура эксплуатации, º С -55...+150;

масса, г 350.

Габаритные и установочные размеры транзистора приведены на рис. 2.3:

Рис. 2.3. Габаритные и установочные размеры МТКИ-200-12.

Для согласования работы системы управления и транзистора выберем модуль связи (драйвер). Драйвер выбирается исходя из обеспечения необходимых параметров работы IGBT модуля и параметров входного сигнала (управление 5В логикой).

В связи с этим выберем рекомендуемый для данного транзистора драйвер 1ДР-10-12(17)-H2 со следующими параметрами:

напряжение питания драйвера V_cc, В 14,5 –15,5;

входной логический сигнал при 0 – V_cc, высокий уровень 5,

низкий уровень 2,2;

выходное напряжение, В

низкий уровень -8;

высокий уровень 15;

время включения/выключения, нс 350;

температура эксплуатации, º С -40…+85.

Схема подключения драйвера к силовому модулю показана на рис.2.4:

Рис.2.4. Схема подключения драйвера к силовому модулю.

Габаритные и установочные размеры приведены на рис. 2.5:

Рис.2.5. Габаритные и установочные размеры драйвера 1ДР-10-12(17)-H2.

Для данного модуля выбираем охладитель О25.

В качестве резисторов R1, R2 резисторы серии БЛП. Диапазон номинальных сопротивлений 1..20 Ом.

Рис.2.6. Габаритные и установочные размеры резисторов БЛП.

---

Дата добавления: 2015-08-18