SUMMARY. Musiienko-Shmarova H.Yu.Kinetics of dissipative structure of vacancies' subsystem in F.C.C

Musiienko-Shmarova H.Yu. Kinetics of dissipative structure of vacancies' subsystem in F.C.C. crystals under irradiation.

Qualifying work of the bachelor on a speciality 6.040203 – physics, specialization "theoretical physics".— National Taras Shevchenko University of Kyiv, Faculty of Physics, Department of Theoretical Physics.— Kyiv, 2014.

Research supervisor: Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Tatarenko V. A.

A kinetic model for the influence of external noise, such as inhomogeneity of irradiated f.c.c. crystal, on the formation of dissipative modulated structure in a spatial distribution of vacancies is considered. The generation rate of vacancy-type point defects all over the sites and a density of their dislocation-type sinks are modeled as independent random uniform stationary fields. For instance with f.c.c. nickel as a model, the temperature dependences of the dissipative modulated structure of vacancies' subsystem in f.c.c. crystal in mentioned cases are numerically forecasted and analyzed, taking into account the total ('electrochemical'+'strain-induced') interaction between vacancies.

Key words: vacancies, 'electrochemical' interaction, 'strain-induced' interaction, dissipative structure, modulated structure.

ЗМІСТ

Вступ...............................................................................................................7

Огляд літературних джерел за темою..........................................................8

Розділ 1. Теоретичні дані...........................................................................13

1.1.Постановка задачі..................................................................................13

1.2.Детерміністична модель........................................................................15

1.3.Енергетичні параметри взаємодії вакансій..........................................20

Розділ 2. Результати.....................................................................................25

Висновки........................................................................................................26

Список використаних джерел....................................................................27

Додаток............................................................................................................28

Вступ

Головними причинами стохастичності густини радіаційних дефектів є такі зовнішні, як, наприклад, флуктуації швидкості їх генерації, та й внутрішні типи випадкового розподілу різноманітних недосконалостей кристалічної гратки, що стають стоками для точкових дефектів. Внаслідок цього флуктуації густини радіаційних точкових дефектів є істотно не рівноважними. Їх внесок не зникає обернено пропорційно розмірам системи і може сягати значних величин. Роль зазначених випадкових збурень стає важливою для систем із нелінійним зворотними зв'язками між складовими елементами і для процесів, що мають пороговий характер і точки розгалуження.

В даній роботі теоретично досліджуються умови утворення просторово-періодичного розподілу густини радіаційних точкових дефектів. Для того, щоб охарактеризувати ймовірнісну природу розподілу густини точкових дефектів, її розглядають як стохастичне поле значень, а для опису використовують стохастичне інтегродиференційне рівняння. Якщо швидкість генерації дефектів і густина їх стоків моделюються відповідними випадковими однорідними й стаціонарними полями, то випадковий розподіл точкових дефектів також може бути однорідним і стаціонарним. Однак, за певних умов опромінення, розподіл стає нестабільним внаслідок взаємодії флуктуації густини дефектів, і утворюється стохастичне поле значень густини з періодичною зміною у просторі її середнього значення.

Дата добавления: 2015-08-17