Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Схемная компенсация

ДАТЧИКИ ДЕФОРМАЦИИ | ДАТЧИКИ ТЕМПЕРАТУРЫ | ДАТЧИКИ ГАЗОВОГО СОСТАВА | ДАТЧИКИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ | ОПТИЧЕСКИЕ ДАТЧИКИ | Единицы измерения влажности и связь между ними |


Читайте также:
  1. Ишемия головного мозга и ее компенсация
  2. Компенсация в случае травмы или болезни
  3. Компенсация во все стороны
  4. Компенсация за использование личных автомобилей
  5. Компенсация морального вреда.
  6. Компенсация нарушения притока крови при ишемии
  7. Компенсация неполноценности

Для измерения деформаций тензорезисторы обычно включаются в мостовую схему (рис. 2.1). Чувствительность моста максимальна в положении равновесия: R1R4 = R2R3. Для упрощения измерений сопротивления плеч выбирают одинаковыми R1 = R2 = R3 = R4 = R0.

 

Рис. 2.1. Мост Уитстона

 

Если переменным является одно сопротивление (напри­мер, R2), то напряжение разбаланса моста m равно

 

m = , (2.6)

где еs – напряжения питания моста.

Зависимость ms как функция ΔR/R0 линейна в узком диапазоне изменения R0 в обе стороны от положения равнове­сия, т.е. при ΔR 0, тогда последнее выражение упрощается

 

m = . (2.7)

Если изменяются все четыре одинаковые сопротивления на величину R1, R2, R3, R4 0, то вблизи положения рав­новесия

m= . (2.8)

 

Из формулы (2.8) видно, что идентичные изменения со­противлений в двух смежных плечах моста не приводят к раз­балансу моста. Это позволяет компенсировать различные воз­действия (например, температуры) на результаты измерений.

Для включения тензорезисторов используют шесть схем, приведенных в табл. 2.2.

Шесть схем можно разделить на три группы, в каждой из которых полумост строится следующим образом:

группа 1: рабочий датчик RC и постоянное балластное сопротивление R0;

группа 2: рабочий датчик RC и эталонный (термокомпен­сирующий) датчик RC0;

группа 3: два рабочих датчика RC(+) и RC(-), сопротив­ления которых изменяются в противоположных направле­ниях.

Для каждой группы возможны две схемы в зависимости от того, сформирован ли второй полумост из балластного со­противления R0 или же оба полумоста симметричны (одина­ковые сопротивления в противоположных плечах), что удваи­вает чувствительность моста.

Схема 1: использование одного датчика. Влияние темпе­ратуры можно компенсировать либо на соединительных про­водах – по трехпроводной схеме с включением сопротивления Rf - рис. 2.2, либо использовать термокомпенсированный дат­чик. Третий провод Rf может быть смонтирован или последо­вательно с источником (рис. 2.2,а), либо последовательно с чувствительным элементом (рис. 2.2,б). Пренебрегая сопро­тивлением соединительных проводов, получаем

Таблица 2.2

 

Сводная таблица схем включения датчиков

в мост Уитстона

 

 

 

 

Рис. 2.2. Мост Уитстона с одним измерительным датчиком и трехпроводной схемой

 

m = = кт , (2.9)

 

г - относительная деформация тензорезистора.

Схема 1´: два рабочих датчика в противоположных пле­чах моста (рис. 2.3).

 

 

 

Рис. 2.3. Мост Уитстона с двумя измерительными датчиками

 

Если датчики испытывают одинаковую деформацию, то чувствительность удваивается:

 

m = . (2.10)

 

Схема 2: рабочий и эталонный датчики в смежных пле­чах моста (рис. 2.4).

 

 

Рис. 2.4. Мост Уитстона с одним измерительным и одним эталонным датчиками: 1 – рабочий датчик, 2 - эталонный

 

Второй датчик – эталонный – идентичен рабочему, он наклеен на такой же, но недеформируемый образец и испыты­вает те же колебания температуры. Так как оба датчика рас­положены в смежных плечах моста, то термические измене­нии ∆RCT, которые равны, не влияют на напряжение разба­ланса, зависящее только от механической деформации ∆RCm рабочего датчика

m = = кт . (2.11)

 

На практике при действии одноосной деформации эта­лонный тензорезистор наклеивают на подложку в направле­нии, перпендикулярном к направлению деформации. В этом случае эталонный датчик подвергается деформации, но го­раздо меньшей, чем рабочий.

Схема 2´: два рабочих и два эталонных датчика одного типа в противоположных плечах (рис. 2.5) – дает удвоение сигнала предыдущего рабочего полумоста.

 

 

 

Рис.2.5. Мост Уитстона с двумя измерительными и двумя эталонными датчиками

 

Напряжение разбаланса определяется сложением меха­нических эффектов обоих датчиков:

 

m = (2.12)

 

Схема 3: два рабочих датчика в смежных плечах с со­противлениями, меняющимися в противоположных направле­ниях (рис. 2.6).

Оба датчика наклеены на исследуемую подложку и имеют одинаковую температуру. В смежных плечах моста температурные изменения сопротивления вычитаются. Изме­нения сопротивления, вызванные деформацией, должны иметь противоположные знаки. Этого можно добиться в двух случаях:

 

 

 

Рис. 2.6. Мост Уитстона с двумя измерительными датчиками, изменения сопротивлений которых равны и противоположны по знаку

 

a) два однотипных датчика (металлические или полу­проводниковые) испытывают деформацию разных знаков (рис. 2.6);

б) два полупроводниковых датчика (один p-типа, другой n-типа) испытывают деформацию одного знака.

 

m = = т1ε1 – кт2ε2), (2.13)

 

где КТ1 и КТ2 - коэффициенты тензочувствительности пер­вого и второго датчиков; ε1 и ε2 – их деформации.

Если КТ1 = КТ2 и ε1 = - ε2, то

 

m = кт . (2.14)

В этом случае мост линеен при любых деформациях.

Схема 3´: четыре рабочих датчика, включенных диффе­ренциально, с сопротивлениями, меняющимися попарно в противоположных направлениях (рис. 2.7).

 

 

Рис. 2.7. Мост Уитстона с четырьмя измерительными датчиками

 

Эта схема имеет те же свойства, что и предыдущая, по­скольку она получается удвоением ее рабочего полумоста.

Если ∆RC1m = ∆RC4m = ∆RCm; ∆RC2m = ∆RC3m = - ∆RCm, то

m = = кт . (2.15)

 

Линейность этой схемы и тот факт, что она компенси­рует влияющие факторы, позволяет использовать ее во многих видах преобразователей (давления, силы, ускорения и др.), образуемых системой четырех датчиков, закрепленных на со­ответствующем образце или созданных диффузией примеси в кремниевой подложке, деформацию которой они измеряют.


Дата добавления: 2015-08-20; просмотров: 175 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Термокомпенсированные датчики| Питание моста

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.011 сек.)