Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Лабораторная работа № 4.

Лабораторная работа № 1. | Лабораторная работа № 2. | Лабораторная работа №6 | Лабораторная работа №7 | Лабораторная работа №8 |


Читайте также:
  1. C) Работа над когнитивными структурами и неправильной атрибуцией
  2. IV. Практическая работа.
  3. IV. Работа над новым материалом.
  4. IV. Работа с текстами.
  5. IV. Словарная работа.
  6. V Вам не нужно принимать решения, начислять проценты и работать с должниками- Это наша работа
  7. V. Лабораторная диагностика сибирской язвы

Тема: Определение полноты протекания фотохимической реакции.

Цель работы:В зависимости от условий экспонирования оценить полноту протекания фотохимической стадии поглощения световой энергии.

Используемые оборудование и материалы: центрифуга для нанесения тонких слоев на подложку, фоторезист ФП 9120 (2001 г.), этиловый спирт для обезжиривания поверхности, проявитель 0,4% КОН, УФ лампа, сушильный шкаф, кремниевые пластины, спектрофотометр, метилурозоль, кварцевая кювета.

Теоретическая часть:

Одна из важных задач в фотохимии это установление возможности протекания вторичных (темновых) и промежуточных реакций, возникающих в результате первичных процессов. Для решения этой задачи используют различные аналитические методы контроля, а именно проводят спектроскопические исследования (электронные и ИК-спектры), электронный парамагнитный резонанс, масс-спектрометрия, хроматография, физико-химические методы исследования.

Экспонирование фотослоя — это облучение пленки фоторезиста УФ-лучами в нужном диапазоне длин волн с помощью фотошаблона для формирования заданного рельефа. При контактной фотолитографии пленка фоторезиста и фотошаблон приводятся в контакт, и пленка экспонируется через фотошаблон актиничным светом.

Если на пленке уже есть рельеф и требуется на нем сформировать новый, производят операцию совмещения рельефа на пластине с рельефом на фотошаблоне при помощи оптического устройства установки, а затем производят экспонирование.

Для обоснованного выбора источников излучения необходимо согласование спектров поглощения фоторезистов со спектрами эмиссии источников излучения. Спектральная чувствительность наиболее используемых резистов известна, она лежит в УФ- и видимой области спектра, и обусловлена наличием азидных, хинондиазидных, арилазидных и других групп солей диазония и большого числа органических сенсибилизаторов, имеющих атом с неподеленной парой электронов.

Срок хранения растворов фоторезистов ограничен от 6 месяцев до 1 года. При использовании их следует придерживаться данных изготовителем инструкций по хранению фоторезиста и иметь в виду конечный срок его реализации. В растворах жидких фоторезистов наблюдается медленное течение нескольких термолитических и гидролитических реакций (на примере ДХН-фоторезистов).

1. Гидролиз целлозольвацетата (растворитель) с образованием кислоты, которая является катализатором реакций разложения нафтохинондиазида и, как следствие, потери фоточувствительности

2. СН3СООСН2СН2ОС2Н52О→СН3СООН+С2Н5ОС2Н4ОН

3. Термолиз нафтохинондиазида с последующим образованием азокрасителя путем присоединения исходной молекулы ДХН к образовавшейся инденкарбоновой кислоте.

4. Образование азосоединений ДХН и смолы фоторезиста.

5. Гидролиз сульфоэфира нафтохинондиазида с образованием более растворимых продуктов

 
 
 
 
 

Степень старения фоторезиста может быть определена по многим показателям. Наилучшим методом считается метод измерения скорости утоньшения пленки с фиксацией конца процесса лазерной установкой. Метод основан на регистрации интерференции излучения лазера, отраженного как от экспонированной, так и от неэкспонированной пленок резиста. При сопоставлении интерференционных картин проявления старых и новых пленок фоторезиста можно судить об отсутствии изменений за время хранения, связанных с изменением скорости растворения неэкспонированных (R0) и экспонированных (R) пленок фоторезиста.

УФ-спектроскопия. Любые изменения УФ-спектров пленок резистов, нанесенных на кварцевые пластины, могут свидетельствовать об образовании азокрасителей или потере светочувствительного компонента, что может приводить к эффекту фотопросветления.

ИК-спекроскопия. Сдвиги линий ИК-спектров, появление новых и исчезновение старых линий могут говорить о существенном изменении состава резиста со временем, например о разложении ДХ-основы при неправильном хранении ДХН-резистов, идущем с выделением инденкарбоновой кислоты, выходе азота и других процессах.

Фоторезисты ФП-9120-1 и ФП-9120-2 представляют собой растворы светочувствительного о-нафтохинондиазида и алкилфенолформальдегидных смол в смеси органических растворителей на основе алкилцеллозольвацетатов и различаются по вязкости, толщине формируемой пленки и разрешающей способности резиста.

Контроль качества резиста может проводиться по многим параметрам:

- Контроль внешнего вида

- Определение кинематической вязкости фоторезиста

- Определение массовой доли воды в фоторезисте

- Определение фильтруемости фоторезиста

- Определение разрешающей способность пленки фоторезиста

- Определение толщины пленки фоторезиста

- Определение адгезии пленки фоторезиста к поверхности оксида

- Устойчивость пленки фоторезиста в проявителе

- Термостойкость проявленного рельефа

- Определение светочувствительности и гамма-контраста пленки фоторезиста

Экспериментальная часть:

1. Фоторезист ФП 9120 (2001 г.) разбавляем в 1000 раз, в качестве растворителя использовался метилцеллозольв.

2. Снимаем спектр поглощения на спектрофотометре в интервале 370-500 нм.

3. Проводим облучение фоторезиста в кювете каждые 10, 30, 60, 90, 180, 300 секунд снимаем спектры поглощения. Спектры представлены на рис. 1.

4. Построили график зависимости . Из линейной зависимости при любом значении Н можно найти степень фотолиза. Так, для точки С степень разложения нафтохинондиазида можно определить по отношению длин отрезков (АС/АВ) ×100 %.

 

 

 

Таблица 1 – Величины..

А, отн. ед. tобл, сек lgА, отн.ед.
0,327054   -0,48538
0,203048   -0,6924
0,131652   -0,88057
0,073976   -1,13091
0,038199   -1,41795
0,033778   -1,47136
0,040471   -1,39286

 

Степень разложения ДНХ определили по прямолинейному участку кривой.

1. 0,21/0,93 * 100% = 22,6 %

2. 0,4/0,93 * 100% = 43 %

3. 0,65/0,93 * 100% = 70 %

 

Вывод: В ходе проделанной лабораторной работы, провели экспонирование фоторезиста ФП 9120 (2001г.), в зависимости от условий оценили полноту протекания фотохимических реакций. Из линейного участка зависимости нашли степень фотолиза при различных значениях Н. Максимальная степень фотолиза составляет 70 %.


Дата добавления: 2015-08-17; просмотров: 205 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Лабораторная работа № 3.| Лабораторная работа № 5.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)