Составные транзисторы.

Во многих аналоговых ИС применяются комбинации из нескольких (обычно двух) транзисторов, соединенных между собой так, что их можно рассматривать как единое целое – составной транзистор. Составные транзисторы обладают такими свойствами, которые трудно или невозможно получить в транзисторах с обычной структурой.

Среди составных транзисторов наибольшее распространение имеет так называемая пара Дарлингтона (рис 8.20 а). Ее главная особенность – исключительно большая величина статического коэффициента усиления базового тока B. Как видно из рис.8.20 а

I_Б2 =(B₁+1) I_Б; I_К =B₁ I_Б +B₂ I_Б2.

Подставляя значение I_Б2 во второе равенство и деля обе части на I_Б, получаем эквивалентный коэффициент усиления пары Дарлингтона:

B=B₁+B₂+B₁B₂

Первые два слагаемых во всех практических случаях несущественны и выражение для B можно записать в виде

B=B₁B₂

Интегральные n-p-n- транзисторы имеют значения B₁, B₂ =100¸200, расчетный коэффициент B составляет (1-4)×10⁴. Примерно таким же будет и дифференциальный коэффициент β.

На рис.8.20 б приведена схема составного p-n-p- транзистора. В данном случае соединены транзисторы разного типа: p-n-p и n-p-n. Как видно из рисунка, направления результирующих токов соответствуют транзистору p-n-p- типа. Коэффициент усиления B=B₁+B₁B₂, что практически совпадает с выражением для пары Дарлингтона. Интегральные p-n-p- транзисторы уступают n-p-n- транзисторам, в частности, по коэффициенту B. Составной p-n-p- транзистор по значению B превосходит n-p-n- транзистор. Быстродействие составного p-n-p- транзистора такое же, как у составляющего p-n-p- транзистора, т.е. хуже, чем у n-p-n- транзистора.

Дата добавления: 2015-07-21