Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Устройство и принцип действия биполярного транзистора

Основные параметры оптронов | Бездрейфовый транзистор | По электрическим характеристикам и областям применения | По конструктивному исполнению | По технологии изготовления | Обозначение транзисторов |


Читайте также:
  1. D. Принципи виваженості харчування та поступового розширення обсягу харчових предметів, що споживаються
  2. I1I. Принципы прохождения практики
  3. II. Работа со словами, обозначающими предметы и действия.
  4. III. Неудовлетворенность и действия потребителя
  5. III. Основные методологические принципы и методы педагогики
  6. III. Психосоциальные воздействия
  7. III. Цели, принципы, задачи и приоритетные направления государственной семейной политики

Транзистор - преобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий не менее трех выводов, пригодный для усиления мощности.

Рис. 8.3 УГО биполярного транзистора

Схематическое устройство БТ (р-п-р)

 

Наиболее распространенные транзисторы имеют два p-n перехода.

 

 

Рис. 8.4 Схематическое устройство биполярного p-n-p транзистора

 

 

Рис. 8.5 Пример конструкции биполярного транзистора (Ge) p-n-p типа, сплавного, старинного.

Основной элемент транзистора - кристалл гер­мания, кремния или другого п/п, в котором созданы три об­ласти с различной проводимостью (рис. 8.4).

 

Две крайние области обладают проводимостью о динакового типа. Между ними – базовый слой (W, на рис. 8.4 и 8.5).

 

Структура имеет два p-n перехода – эмиттерный (б-э) и коллекторный (б-к).

 

Возможны два варианта биполярных транзисторов: p-n-p и n-p-n типа.

 

Два условия работы транзистора:

 

- рас­стояние между базой и коллектором должно быть очень мало – единицы и доли микрометров. Т.е., область базы (w)- очень тонкий слой.

- концентрация атомов примеси в области базы незначительна - во много раз меньше, чем в эмиттере.

 


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 60 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Группа параметров - выходные| Принцип работы БТ

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.008 сек.)