Читайте также:
|
Транзистор - преобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий не менее трех выводов, пригодный для усиления мощности.
Рис. 8.3 УГО биполярного транзистора
Схематическое устройство БТ (р-п-р)
Наиболее распространенные транзисторы имеют два p-n перехода.
Рис. 8.4 Схематическое устройство биполярного p-n-p транзистора
Рис. 8.5 Пример конструкции биполярного транзистора (Ge) p-n-p типа, сплавного, старинного.
Основной элемент транзистора - кристалл германия, кремния или другого п/п, в котором созданы три области с различной проводимостью (рис. 8.4).
Две крайние области обладают проводимостью о динакового типа. Между ними – базовый слой (W, на рис. 8.4 и 8.5).
Структура имеет два p-n перехода – эмиттерный (б-э) и коллекторный (б-к).
Возможны два варианта биполярных транзисторов: p-n-p и n-p-n типа.
Два условия работы транзистора:
- расстояние между базой и коллектором должно быть очень мало – единицы и доли микрометров. Т.е., область базы (w)- очень тонкий слой.
- концентрация атомов примеси в области базы незначительна - во много раз меньше, чем в эмиттере.
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 60 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Группа параметров - выходные | | | Принцип работы БТ |