Читайте также:
|
|
В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
ХХХХХХХ-Х
1, первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из
которого изготовлен транзистор. Используются буквы или цифры:
Г или 1 - для германия или его соединений;
К или 2 - для кремния или его соединений;
А или 3 - для соединений галлия;
И или 4 - для соединений индия.
Пример:
Г Т403А
К Т416Б
3 П325А
2, второй элемент - буква, определяющая подкласс (или группу)
транзистора.
Т - для биполярных транзисторов;
П - для полевых.
Пример:
К Т 416Б
К П 303А
3, третий элемент - цифра, определяющая функциональные возможности
транзистора.
Для транзисторов малой мощности (с максимальной рассеиваемой
мощностью не более 0,3 Вт):
1 - низкой частоты, с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (граничной частотой) не более 3 МГц;
2 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
3 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц; Для транзисторов средней мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 0,3 Вт, но не более 1,5 Вт):
4 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
5 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
6 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц; Для транзисторов большой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт):
7 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
8 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
9 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;
Пример:
КТ 3 01А
КТ 4 04А
КТ 5 02В
КТ 6 08Б
КТ 8 02А
КТ 9 01А
4,5,(6), четвертый, пятый, шестой элемент - число, обозначающее
порядковый номер разработки транзистора.
Пример:
КТ3 15 А
КТ3 102 Б
6 (7), (шестой) седьмой, последний - буква, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам.
Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно, через
дефис, вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию
конструктивного исполнения;
1-е гибкими выводами без кристаллодержателя (поддожки);
2-е гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);
3-е жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);
4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);
5 - с контактными площадками без клисталлодержателя (подложки) и без выводов;
6 - с контактными площадками на клисталлодержателе (подложке) и без выводов;]
….
Пример:
2Т127А- 1
2Т3 77 А -2
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 114 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
По технологии изготовления | | | Режимы работы транзистора |