Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

О чистоте п/п материалов

Температурная зависимость концентрации носителей п/п. | Скорость дрейфа | Диффузия носителей заряда |


Читайте также:
  1. B) вино, полученное из шампанских виноматериалов путем вторичного брожения в герметических сосудах под давлением
  2. В течение месяца, после опубликования результатов на сайте, происходит рассылка наградных материалов (до 30 августа 2015 года).
  3. В течение месяца, после опубликования результатов на сайте, происходит рассылка наградных материалов (до 30 сентября 2015 года).
  4. В течение месяца, после опубликования результатов на сайте, происходит рассылка наградных материалов (до 31 января 2015 года).
  5. ВЕЛЕНИЕ О ЧИСТОТЕ 40.05
  6. ВИДЫ ИНФОРМАЦИОННО-РЕКЛАМНЫХ МАТЕРИАЛОВ
  7. Виды следов орудий взлома и инструментов. Способы их обнаружения, фиксации и изъятия. Подготовка материалов для экспертизы.

Чистым называется вещество, в котором содержится один посторонний атом на 103 собственных (концентрация примесей 0,1%, или 1 на 1000).

С химической точки зрения – “изумительно” чистое вещество с концентрацией примесей - 0,001% (1 на 100000)

 

Число атомов в кристалле 1023

Но это значит что в веществе в см3 ~ 1017 сторонних атомов

 

Пусть примесь способна отдавать электроны, тогда в “изумительно” чистом (химически) Ge (0.001%) “примесных” будет в 4000 больше чем собственных.

В Si “примесных” электронов будет в 107 больше. чем собственных.

 

  п/п   InSb Ge Si InP GaAs GaP SiC
антимонид индия германий кремний фосфид индия арсенид галлия фосфид галлия карбид кремния
E g, эВ 0,17 0,72 1,1 1,3 1,4 2,3 2,4-3,2
ni, см-3 1,3 1016 2,4 1013 1,1 1010   5,5 107 1,4 107 0,8 0, 1-2 10-8 (1400оС)

(Т~300 К)

 

 

Рис.3.2. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры для наиболее распространенных полупроводников - кремния, германия, арсенида и фосфида галлия.

При изменении ширины запрещенной зоны в диапазоне от 0,7 эВ для германия до 2,3 эВ для фосфида галлия собственная концентрация ni при комнатной температуре изменяется от значения 1013 см-3 до 101 см-3.

 

 


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 42 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Собственные полупроводники. Концентрация носителей заряда в полупроводниках.| Примесные полупроводники

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.008 сек.)