Порядок выполнения работы. 3.1. Изучить лабораторную установку и входящие в ее состав объекты измерения

3.1. Изучить лабораторную установку и входящие в ее состав объекты измерения температуры; объекты исследования (тепловые ИП).

3.2. Исследовать температурные зависимости различных тепловых ИП, провести анализ полученных характеристик.

3.5. Обработка результатов измерения. Выводы по проделанной работе.

Задаем различные значения температуры в термостате до 200 ^ОС. Данные эксперимента занесены в табл. 1.

Таблица №1 – Данные эксперимента

t°C	ТСМ 1 (R, Ом)	ТСП1 (R, Ом)	ПТР (R, Ом)	S1, (Ом/град)	S2, (Ом/град)	S3, (Ом/град)
				0,4335	0,18535	4,7545
	108,67	49,707	104,91	0,421	0,1788	3,65
	117,09	53,283	31,91	0,4335	0,18315	0,56685
	125,76	56,946	20,573	0,434	0,182	0,19335
	134,44	60,586	16,706	0,421	0,1756	0,0956
	142,86	64,098	14,794	0,4335	0,1798	0,05935
	151,53	67,694	13,607	0,408	0,1682	0,0374
	159,69	71,058	12,859	0,4335	0,17765	0,02845
	168,36	74,611	12,29	0,421	0,1713	0,02065
	176,78	78,037	11,877	0,421	0,17025	0,00605
	185,2	81,442	11,556	9,26	4,0721	0,5778

Чувствительность ИП к изменению температуры определяется из соотношения:

_∆t всегда будет равна 20°C в нашем случаи.

Графики зависимости приведены ниже:

Рисунок 1 – Зависимости сопротивлений от температуры.

Рисунок 2 – Зависимость чувствительности от температуры.

Вывод: выполнив данную лабораторную работу, укрепила знания по прикладному пакету LabView, построила графики зависимостей сопротивления и чувствительности от температуры из которых видно что с ростом температуры у медных и платиновых терморезисторов сопротивление так же увеличивается, а у полупроводникового ТС наоборот уменьшается. Чувствительность в свою очередь для терморезисторов резко увеличивается после t=180⁰, а у тиристора она снижается, а после 180⁰ незначительно возрастает.

Дата добавления: 2015-10-13