Додаток А. Рисунок А.1 – Залежності Nе(h) та nеф(h)

Рисунок А.1 – Залежності N_е(h) та n_еф(h)

1 – для транзисторів; 2 – діодних змішувачів; 3 – тунельних діодів; 4 – електронних ламп; 5- ламп рухомої хвилі; 6 – параметричних підсилювачів; 7 – мазерів, які охолоджуються азотом; 8 – мазерів, які охолоджуються гелієм

Рисунок А.2 – Залежність Т_{ш. пр.}(f)..

Продовження додатку А

Рисунок А.3 – Залежності Т_я.к.(f) та Т_я.а.(f) від частоти

Рисунок А.4 – Залежність напруженості поля (в децибелах відносно 1 мкВ/м) промислових та атмосферних завад від частоти

Продовження додатку А

Рисунок А.5 – Розподіл рівнів завад станцій, які було заміряно в діапазоні ВЧ на трасах довжиною: 1 – 1500 км, 2 – 3000 км, 3 – 4000 км.

Рисунок А.6 – Залежність множника послаблення V_г при D=const та пересіканні хвилею цієї товщини тропосфери

Дата добавления: 2015-10-13