Читайте также: |
|
Несимметричный инвертирующий ТШ (рис.2.7,а) также выполняется на базе ОУ. Он имеет передаточную характеристику несимметричную относительно начала координат и приведенную на рис. 2.7,б.
Устройство и принцип действия несимметричного инвертирующего ТШ аналогичны устройству и принципу действия симметричного инвертирующего ТШ (рис. 2.5,а). Отличие состоит в том, что в несимметричном инвертирующем ТШ параллельно резистору делителя напряжения дополнительно введены резистор
и диод
.
При положительном напряжении на выходе схемы равном диод закрыт и резистор
отключен. Поэтому коэффициент передачи делителя определяется выражением (2.3) и равен:
. (2.6)
При отрицательном напряжении на выходе схемы равном диод открыт и резистор
подключен параллельно резистору
. При этом пренебрегаем падением напряжения на диоде, т.е. считаем диод
идеальным. Поэтому коэффициент передачи делителя определяется выражением аналогичным (2.3) и равен:
, (2.7)
где сопротивление резистора равно сопротивлению параллельно включенных резисторов
и
.
Напряжения срабатывания и отпускания
несимметричного инвертирующего ТШ определяются по выражениям (2.4) и (2.5), при замене в них коэффициента передачи
на коэффициенты передачи
и
, соответственно. Поскольку
<
, то
и, следовательно, по абсолютной величине напряжение отпускания больше напряжения срабатывания. Поэтому передаточная характеристика (рис. 2.7,б) не симметрична относительно начала координат.
Дата добавления: 2015-09-02; просмотров: 54 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Симметричный инвертирующий ТШ | | | Несимметричный инвертирующий ТШ с источником смещения |