Трансформаторы, дроссели.

Трансформаторы, дроссели большой индуктивности подключая к приставке, на экране в этом случае появляется эллипс (рис. 6), наклон которого зависит от значения индуктивности. К примеру, при индуктивности до 5 Гн большая ось эллипса оказывается наклоненной ближе к вертикали (рис, 7, а).

С индуктивностью 5 Гн появится круг (как и при проверке конденсатора емкостью около 1 мкФ), а при большей индуктивности ось эллипса начнет приближаться к горизонтальной линии (рис. 6, б). Сравнивая между собой изображения заведомо исправной обмотки и испытуемой, нетрудно сделать вывод о наличии или отсутствии короткозамкнутых витков в обмотке. Ширина эллипса в этом случае уменьшается, а иногда он превращается в прямую линию, характерную для резистора определенного сопротивления.

Рис. 6

Подключив к приставке германиевый или кремниевый диод, увидите картину, показанную на рис. 7,а. Часть горизонтальной линии развертки (точно половина ее) «переломится» вверх под углом 90° — это прямая ветвь характеристики диода, когда он пропускает ток. Горизонтальная часть изображения — обратная ветвь, соответствующая закрытому диоду (когда на него подается обратное напряжение). Изменив полярность подключения диода, увидите, что прямая ветвь окажется внизу (рис. 8, б). В дальнейшем по положению этой ветви вы сможете определять выводы любого диода, если на его корпусе отсутствует маркировка. Когда прямая ветвь вверху, к гнезду XS3 подключен анод диода, а к гнезду XS4 — катод.

Рис.8

По сравнению с характеристиками диодов в справочной литературе наше изображение зеркально. Это результат фазового сдвига (на 180⁰) между напряжениями, поступающими на вертикальный и горизонтальный входы осциллографа. Чтобы получить «правильное» изображение характеристики, нужно поменять местами проводники от горизонтальных пластин осциллографа. На некоторых осциллографах для этой цели устанавливают на задней стенке переключатель.. Но проще всего установить сбоку от экрана зеркало (под прямым углом) и наблюдать изображение через него — характеристика полупроводниковых приборов будет «рисоваться» в реальном виде.

Дата добавления: 2015-09-03