Аппроксимация кубическим полиномом, которая используется при анализе процессов установления в АГ.

Особенности работы ГВВ

Характер работы ГВВ во многом зависит от следующих факторов.

1. Вида статических характеристик АЭ.

2. Класса работы АЭ.

Статические характеристики биполярного транзистора

Статические характеристики биполярного транзистора устанавливают взаимосвязь между постоянными токами, протекающими через транзистор и постоянными напряжениями, действующими на его электродах. Практически все эти зависимости носят нелинейный характер. Точное описание зависимостей весьма сложное, что создает большие затруднения для расчетов. Для инженерных расчетов используется упрощенное математическое описание статических характеристик. Этот процесс называется аппроксимацией. Погрешность в полученных результатах, которая при этом появляется, не велика и, как правило, лежит в интервале (10 ÷15)%, что соизмеримо с разбросом параметров как АЭ, так и других элементов схемы.

Наиболее широко используются следующие виды аппроксимаций:

Кусочно-линейная аппроксимация, чаще всего используемая при анализе работы ГВВ и АГ.

Аппроксимация кубическим полиномом, которая используется при анализе процессов установления в АГ.

3. Аппроксимация квадратичной параболой. Этот вид аппроксимации носит участковый характер и используется при анализе работы смесителей и ряда других радиотехнических устройств.

Для математического описания аппроксимированных статических характеристик АЭ необходимо ввести параметры аппроксимации, которые следует считать постоянными для данного типа АЭ.

Конец 2-й лекции

Рассмотрим статические характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, сформулируем правило кусочно-линейной аппроксимации статических характеристик, а также правило определения параметров аппроксимации. Приведем математическое описание аппроксимированных характеристик транзистора.

Обобщенная запись семейства входных и проходных статических характеристик транзистора имеет вид

.

Оба вида статических характеристик изображаются на одном графике. Семейства образуются, если использовать несколько разных значений .

В справочниках их иногда представляют только одной характеристикой каждого семейства, снятой при . Это связано с тем, что веер характеристик имеет малое расхождение, обусловленное слабым влиянием коллекторного напряжения на ток коллектора и базы.

Обобщенная запись семейства обратных проходных и выходных статических характеристик транзистора имеет вид

.

Эти характеристики тоже изображаются вместе на одном графике для разных значениях . Обратные проходные характеристики используются редко. По этой причине в дальнейшем мы не будем заострять на них внимание.

Вид статических характеристик транзистора представлен на рисунке

Статические вольтамперные характеристики транзистора, включенного по схеме ОЭ

На семействе выходных статических характеристик особое внимание обращает на себя линия, в которую стягиваются все выходные характеристики. Эта линия получила название линии насыщения. В курсе УГФС линию насыщения чаще называют «Линия критического режима» (ЛКР). Ее отображение на семейство проходных статических характеристиках показано пунктиром.

Различают три зоны работы транзисторов:

Зону закрытого состояния ().

Активную зону, которая на проходных характеристиках размещается между и линией критического режима.

Зону насыщения, которая размещается правее ЛКР.

На выходных характеристиках активная зона размещается правее линии критического режима, зона насыщения стягивается в линию ЛКР, зона отсечки размещается ниже оси абсцисс.

Дата добавления: 2015-07-24