Одноразрядный сумматор

Сравнение P- и N-канальных МОП-транзисторов

Из-за большей площади у P-канального устройства меньше термосопротивление и выше номинальный ток. Его динамические характеристики (емкость, заряд затвора и т.д.), соответственно, другие, и пропорциональны площади кристалла.
Температуры p-n-перехода одинаковы при той же температуре корпуса и токе. В этом случае площадь кристалла P-канального устройства в 1,5—1,8 раза превышает тот же показателя N-канального транзистора.
Следовательно, если два МОП-транзистора имеют одинаковый заряд затвора и управляются одинаково, у них одинаковые потери на переключение. В этом случае P-канальный МОП-транзистор при той же площади кристалла, что и у N-канального устройства, имеет меньший номинальный ток.

Если транзистор n-канальный:

§ он открывается положительным напряжением на затворе по отношению к истоку.

§ паразитный диод в структуре канала катодом подсоединен к стоку, анодом — к истоку.

§ канал обычно подсоединяют так, что на стоке более положительное напряжение, чем на истоке.

Если транзистор p-канальный:

§ он открывается отрицательным напряжением на затворе по отношению к истоку.

§ паразитный диод в структуре канала анодом подсоединен к стоку, катодом — к истоку.

§ канал обычно подсоединяют так, что на стоке более отрицательное напряжение, чем на истоке.

Одноразрядный сумматор

Ai	Bi	Pi-1	Pi	Si

8-разрядный сумматор

RS-триггер

Дата добавления: 2015-07-26