|
Рассмотренный идеальный p-n переход обладает вентильным свойством: он пропускает ток в одном направлении и практически не пропускает его в противоположном направлении. Данное свойство p-n перехода используется в полупроводниковом приборе, называемом «диод».
Рис. 6 |
Полупроводниковый диод представляет собой совокупность перехода, обладающего вентильным (или, говорят, выпрямляющим) свойством, а также двух невыпрямляющих (омических) контактов (рис.6). Основное свойство диода — односторонняя проводимость — определяется наличием в нем одного электронно-дырочного перехода. Невыпрямляющие контакты металл-полупроводник необходимы из конструктивных соображений. Они обеспечивают подведение тока к p-n переходу диода. Электроды, подходящие к соответствующим областям полупроводника через невыпрямляющие контакты, называют анодом и катодом.
Реальный полупроводниковый диод имеет несимметричный p-n переход, существенно различающийся концентрацией носителей в p- и n-областях. При включении реального диода в прямом направлении преобладающее значение в формировании протекающего тока играет процесс переноса основных носителей эмиттера в базу, в которой они становятся неосновными. Данный процесс называется инжекцией. Характеристики диода, включенного в прямом направлении, определяются его эмиттером.
Обратный ток через диод определяется движением неосновных носителей базы в прилегающий к ней эмиттер. Характеристики диода в обратном включении определяются его базой.
Условно-графическое обозначение (УГО) диода показано на рис.6.
Дата добавления: 2015-07-14; просмотров: 141 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Емкость идеального p-n перехода | | | Вольт-амперная характеристика реального p-n перехода. Пробой |