ДОДАТОК А

ВИБІР ЕЛЕМЕНТІВ ЕЛЕКТРОННИХ СХЕМ

1 Вибір резисторів

Вихідними даними для вибору резистора служать розрахунковий опір і розрахункова потужність.

Резистор вибирають у наступному порядку:

1. Визначають найближчий стандартний номінал резистора з ряду (таблиця 1).

2. З ряду потужностей: 0,125; 0,25; 0,5; 1,0; 2,0; 5,0; 10,0 Вт вибирають потужність резистора.

3. По довіднику вибирають стандартний резистор.

Приклад: "У результаті розрахунку отримане R5 = 17585,5Ом; P_R5=0,356Вт. Вибираємо резистор МЛТ–0,5–18кОм ± 5%".

Таблиця 1 – Стандартні ряди номіналів резисторів і конденсаторів

Індекс ряду	Номінальне значення (одиниці, десятки, сотні Ом, кОм, МОм, пФ, нФ, мкФ)	Припустиме відхилення від номінального значення, %
Е6	1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8
Е12	1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 1.2 1.8 2.7 3.9 5.6 8.2
Е24	1.0 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1

2 Вибір конденсаторів

Вихідними даними для вибору конденсатора служать: розрахункова ємність, розрахункова напруга, максимальна частота струму (напруги), призначення (розділовий конденсатор, конденсатор фільтру перемінного струму, конденсатор фільтру постійного струму й ін.)

Конденсатор вибирають у наступному порядку:

1. По стандартних рядах (табл. 1) вибирають найближчий номінал конденсатора.

2.Задаються припустимим значенням напруги конденсатора в 1,2 – 1,5 разів більше, ніж Uc.max.

3. По максимальній частоті і характерові режиму роботи вибирають тип конденсатора. З урахуванням залежності припустимої напруги конденсатора від частоти вибирають напругу конденсатора з даних для обраного типу.

4. За результатами попередніх пунктів вибирають стандартний конденсатор.

Деякі дані про конденсатори.

3 Керамічні конденсатори типу к10–17б імп.

Конденсатори монолітні, багатошарові, призначені для роботи у колах постійного, перемінного й імпульсного струмів.

Діапазон номінальних значень ємності: 1 пФ ~ 4,7 мкФ.

Температурний діапазон: –55°С ~ +125°С.

Тип діелектрика: NPO, X7R, Y5V(Z5U).

Точність: ±1%, ±2%, ±5%, ±10%, +20%, –20 + 50%, –20 + 80%.

Робоча напруга: 50V, 100V.

Диссипаційнний фактор: < 0,001 (0,1%) для NPO

< 0,025 (2,5%) для X7R (1 кГц, 25°С)

< 0,04 (4%) для Z5U, Y5V (1кГц, 25°С)

NPO – використовується в прецизійних колах. У робочому діапазоні ємність практично не залежить від температури, часу, напруги і частоти. ТКЕ = 0 + 30×10^–6 1/°С.

X7R– стабільний діелектрик з передбачуваною температурною, частотною і тимчасовою залежністю

Z5U(Y5V) – має високу діелектричну постійну. Використовується у колах загального застосування.

Вибір діелектрика визначається необхідною температурною стабільністю схеми. Ніж більш стабільний діелектрик – тим більше розміри конденсатора і тим він дорожче.

Таблиця 2 – Керамічні конденсатори і їхні імпортні аналоги

Діапазон значень ємності
Тип діелектрика	Вітчизняне позначення	Межі номінальних ємностей, пФ
NPO(COG) 1%, 2%, 5%, 10%	М47, М1500, П60, П100	1 — 820
560 — 2200
1500–3900
2200 — 6800
2700 — 0,012мкФ
8200 — 0,022мкФ
X7R +10%, +20%	Н10	330–15000
10000–47000
0.0ЗЗмкФ — 0,1мкФ
0,1мкФ — 0,22мкФ
0,22мкФ — 0,68мФ
0,47мкФ — 2,2мкФ
Y5V(Z5U) ±20%, –20+50%, –20+80%	Н20, Н30, Н50, Н70, Н90	0,01мкФ — 0,1мкФ
0,082мкФ — 0.ЗЗмкФ
0,15мкФ —0,68мкФ
0,68мкФ — 1,5мкФ
1,5мкФ — 2,2мкФ
2,2мкФ — 4,7мкФ

Примітка. Проміжні значення номінальних ємностей відповідають рядові Е12.

Таблиця 3 – Електролітичні конденсатори і їхні імпортні аналоги

Серія	Тип	мкФ	U	Вітчизняні аналоги
SR	Для звичайного застосування, 85 ^0С	0.47–10000	10–100	К50–6, К50–16, К50–35, К50–38, К50–40, К50–46
0.47 – 220	160 – 450
GR	Високотемпературні, 105 ^0С	0.47–10000	10–100
0.47–330	160–450
SA	Для звичайного застосування, 85 ^0С	0.47 – 10000	10 – 100	К50–12, К50–15, К50–20, К50–24, К50–29
1–220	160–450
GA	Високотемпературні, 105 ^0С	0.47–10000	10–100
0.47–330	160–450
SS	Мініатюрні	0.1–220	10–63	—
SSK	Супер мініатюрні	0.1–220	4–50	—
SL	З низьким струмом витоку	0.1–220	10–50	—
SZ	З низьким імпедансом (E.S.R.)	10–4700	10–50	—
NR	Неполярні	1–470	50–100	К50 – 6
NA	Неполярні	0.47 – 470	10–100	К50 – 15
BA	Біполярні при 1 кГц	1–100	63–100	—
LGS	Для звичайного застосування	2200–22000	16–100	К50–18, К50–35
47–1000	160–450
LGB	Для звичайного застосування	2200–22000	16–100	К50–18, К50–35
47–1000	160–450

4 Ферити й аксесуари фірм "SІEMENS",

"MATSU–SHІTA"

RM – для малосигнальних широкополосних трансформаторів, індуктивностей і фільтрів з низькими перекручуваннями – 80...12000

Типи: 3,4, 5, 6, 7, 8, 10, 12, 14 RM LP 4...14 – низькопрофільні.

Таблиця Д 4 – Типорозміри сердечників

Тип	а, (мм)	h, (мм)
4(LP)	9,8	10,5 (7,8)
	34,8	30,2

U, Ul, UR – для могутніх імпульсних високовольтних трансформаторів, із зазором і без.

Рисунок 1 – Типорозміри сердечників

Типи а/Ь/с: 11/9/6, 15/11/6, 17/12/7, 20/16/7, 21/17/12, 25/20/13, 26/22/16, 30/26/26, 93/76/16, 93/76/20, 93/76/30

РМ – для могутніх трансформаторів до 300 кГц, енергозапасаючих дроселів в імпульсних джерелах харчування телекомунікаційної і індустріальної електроніки.

Продовження додатка А

Типи: 50 x 39, 62 x 49, 74 x 59, 87 x 70, 114 x 93 = d x h (мм)

Р (pot–горщики, чашки) – для малосигнальних широкополосних трансформаторів з низькими перекручуваннями, високодобротних індуктивностей у резонансних пристроях силової електроніки.

Типи: 7х4, 9х5, 11х7, 14x8, 18x11, 22x13, 26x16, 30x19, 36x22 = d x h(MM)

Кільця (Rіng) – для широкого спектра могутніх імпульсних і малосигнальних широкополосних трансформаторів і дроселів.

Типи: R2.5, 4, 6.3, 9.5/2, 10, 12.5, 16, 20/7, 22, 25/10, 34/10, 36, 40, 42, 50, 58, 100, 140, 200 – da (мм).

5 Вибір діодів

Вихідними даними для вибору діода служать: максимальний струм, середній струм, максимальна напруга, частота струму, що протікає. Параметри діода варто вибирати з запасом (15–20)%.

Приклад. Максимальний струм діода складає І_дmax = 300мА. Максимальна зворотня напруга U_вmax=30В. Середній струм діода

Ідср = (Д1.1).

Частота проходження імпульсів струму через діод f=100Гц.

З довідника вибираємо діод Д229В з параметрами: Ідоп.ср.=0,4А; Uвmax=100В; fmax=1кгц.

Таблиця 5 – Параметри імпульсних діодів

Тип	Д220А	Д310	Д312	КД503А	КД512А	КД520А	КД521А	КД521Б	КД522Б
Iпр.max, мА
Uпр.І, В	2,5	1,25	1,25	2,5			1,7	1,7	1,75
Iобр.max, мА	0,4	0,4	0,4
Uобр.max, В
Сд.max, пФ
tІ, мкС

Таблиця 6 – Параметри потужних імпульсних діодів

Тип	11DQ04	11DQ06	31DQ04	31DQ10	6CWQ04F	6CWQ10F	12TQ045	20CTQ150
Iпр.max, А
Uпр.и, В	0,3	0,3	0,35	0,35	0,4	0,4	0,45	0,5
Iобр., мкА
Uобр.max, В
tвост, нС

Рисунок 2 – ВАХ імпульсних діодів

6 Вибір тиристорів

Для вибору тиристора необхідно знати: амплітуду струму анода І_а.max, середній струм І_а.ср., максимальну пряму і зворотню напругу на тиристорі в закритому стані U_пр.max.і U_обр.max, максимальну частоту переключень тиристора f_к.max.

Тиристор вибирають у наступному порядку:

1. Розраховують максимально необхідний час вимикання тиристора t_выкл., f_к.max.

За отриманим значенням t_выкл. Визначають необхідний тип тиристора (низькочастотний, високочастотний, швидкодіючий і т.д.)

2. Зазначеннями І_а.max, І_а.ср., U_пр.max, U_обр.max і t_выкл. Вибирають тиристор.

Таблиця 7 – Параметри тиристорів малої потужності

Тип	КУ101А	КУ101Б	КУ101Г	КУ101Е	КУ103А	КУ103В
Iпр.max, мА
Uпр.зкр, В
Iобр.max, мА	0,3	0,3	0,3	0,3	0,3	0,3
Uобр.max, В
Iуд.max, мА	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5
Iупр., мА	7,5	7,5	7,5	7,5	7,5	7,5
Uупр., мА	2,5	2,5	2,5	2,5	2,5	2,5
tвкл, мкС
tвыкл, мкС

7 Вибір транзисторів

Вихідними даними для вибору транзистора служать: режим роботи (А, D та ін.), амплітуда струму колектора І_кmax, максимальна напруга колектор – емітер U_ке.max, максимальна частота струму колектора (бази) f_т.max, необхідний коефіцієнт підсилення по струму, максимальна потужність, що розсіюється, Р_к.max.

По довіднику підбирають транзистор, що задовольняє умовам, що випливають:

Ік.доп. Ік.max,

Іке.доп. Іке.max, (П1.2)

Pк.доп. Pк.max,

или f_в > f_тmax

Примітка: при виборі елементів схеми варто вибирати елементи широко розповсюджених серій.

Таблиця 8 – Параметри транзисторів малої потужності

Тип	Iк.max, мА	Uке.max, В	fгр., МГц	h21э	Uке.нас, В	Iкбо, мкА	Рк. max, мВт
p – n – p
КТ104А				10 – 100	0,5
КТ104Б				20 – 80	0,5
КТ104В				40 – 380	0,5
КТ104Г				15 – 180	0,5
КТ120А				20 – 200	0,5	0,5
КТ120Б				20 – 200	0,5	0,5
КТ120В				20 – 200	0,5	0,5
КТ361А				20 – 90	0,4
КТ361Б				50 – 350	0,4
КТ361В				20 – 250	0,4
КТ361Г				50 – 350	0,4
КТ502А				40 – 120	0,4
КТ502Б				80 – 240	0,4
КТ502В				40 – 120	0,4
КТ502Г				80 – 240	0,4
n – p – n
КТ201А				20 – 100	0,5
КТ201Б				30 – 150	0,5
КТ201В				30 – 150	0,5
КТ201Г				70 – 300	0,5
КТ201Д				30 – 150	0,5
КТ315А				20 – 90	0,4
КТ315Б				50 – 350	0,4
КТ315В				20 – 250	0,4
КТ315Г				50 – 350	0,4
КТ503А				40 – 120	0,4
КТ503Б				80 – 240	0,4
КТ503В				40 – 120	0,4
КТ503Г				80 – 240	0,4
КТ608А				20 – 80	0,6
КТ608Б				40 – 160	0,6
КТ903А	10^4			15 – 70	2,5	10^4	3×10^4
КТ903Б	10^4			40 – 180	2,5	10^4	3×10^4

Таблиця 9 – Параметри ІGBT транзисторів

Тип	Iк.max, мА	Uке.max, В	Uке.нас, В	Uзе.max, В	tвмк, нС	tвимк, нС	Тип каналу
HGTP5P8A3D			0.8				p
HGTP5N8A3D			0.8				n
HGTP7P10C3D							p
HGTP7N10C3D							n
HGTP10P6B3D							p
HGTP10N6B3D							n
HGTP12P8A3D							p
HGTP12N8A3D							n
HGTP15P10C3D			1.5				p
HGTP15N10C3D			1.5				n
HGTP20P12A3D			1.5				p
HGTP20N12A3D			1.5				n
HGTP25P20B3D			1.5				p
HGTP25N20B3D			1.5				n

Рисунок 3 – ВАХ транзисторів малої потужності

Рисунок 4 – ВАХ транзисторів малої потужності

Рисунок 5 – ВАХ транзисторів малої потужності

Примітка. Характеристики транзистора КТ361 відповідають характеристикам транзистора КТ315.

Дата добавления: 2015-07-14