Тайминги

Характеристики оперативной памяти

Тип оперативной памяти

Сегодня самые распространенные это DDR, DDR2, DDR3.

DDR (double data rate - двойная скорость передачи данных) - в настоящее время этот тип памяти устарел и практически не используется (PC-200, PC-400). Модуль имеет 184 контакта. Стандартное питающее напряжение 2,5 В.

DDR2 - Самый распространенный на данный момент тип памяти. DDR2 в отличие от DDR позволяет делать выборку сразу 4 бита данных за такт (4n-prefetch), DDR только 2 бита за такт (2n-prefetch), т.е. способна передавать на каждом такте шины памяти 4 бита информации из ячеек микросхемы памяти в буферы ввода-вывода. Модуль выполнен в виде печатной платы с 240 контактами (по 120 с каждой стороны) и имеет стандартное питающее напряжение 1,8 В.

DDR3 - Новый тип памяти. DDR3 - позволяет делать выборку 8 бит данных за такт (8n-prefetch). Модуль также как и DDR2 выполнен в виде 240-контактной платы, а стандартное питающее напряжение всего 1,5 В. Энергопотребление памяти DDR3 приблизительно на 40% меньше, чем у памяти DDR2, что очень важно для ноутбуков и мобильных систем.

Тайминги

Тайминги - (8-8-8-20-1), числа написанные через дефис означают:
CAS Latency - RAS to CAS Delay - Row Precharge - Row Active Delay - Command Rate

• RAS (Row Adress Strobe) - сигнал, определяющий адрес строки.
• CAS (Column Adress Strobe) - сигнал, определяющий адрес столбца.
• CAS Latency (CAS)- это количество тактов от момента запроса данных до их считывания с модуля памяти. Одна из важнейших характеристик модуля памяти.
• RAS to CAS Delay (TRCD) - задержка между сигналами RAS и CAS. обращения к строкам и столбцам происходят отдельно друг от друга. Этот параметр определяет отставание одного сигнала от другого.
• Row Precharge Delay (TRP) - задержка, необходимая на подзарядку емкостей ячеек памяти.
• Row Active Delay (TRAS) - время активности строба. Минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge) или закрытия одного и того же банка.
• Command Rate - задержка между выбором чипа и командой.

Чем ниже эти тайминги, тем соответственно лучше: память будет работать быстрее с низкими задержками. Как правило в прайс листах тайминги указываются только для специальных планок типа HyperX.

Дата добавления: 2015-07-11