Схемы замещения.

(рис. 1.3): схема с общим эмиттером (ОЭ), схема с общим коллектором (ОК) и схема с общей базой (ОБ).

Рис 1.3 Схемы включения биполярных транзисторов (направлении работы соответствует активному режиму работы).

получить приближенные выражения для низкочастотных значений Y-параметров биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ:

Частотную зависимость Y11э и Y21э при анализе усилительного каскада в области ВЧ определяют, соответственно, посредством определения входной динамической емкости Cвх.дин и постоянной времени транзистора τ.

Выражения для расчета низкочастотных Y-параметров для других схем включения транзистора получают следующим образом:

◆ дополняют матрицу исходных Y-параметров Yэ до неопределенной Yн, а именно, если

◆ вычеркивают строку и столбец, соответствующие общему узлу схемы (б для ОБ, к для ОК), получая матрицу Y-параметров для конкретной схемы включения транзистора.

8. Схемы замещения.

Определяются малосигнальные Y-параметры ПТ по его эквивалентной схеме. Для целей эскизного проектирования можно использовать упрощенный вариант малосигнальной эквивалентной схемы ПТ, представленный на рис.2.8.

Данная схема с удовлетворительной для эскизного проектирования точностью аппроксимирует усилительные свойства ПТ независимо от его типа, параметры ее элементов находятся из справочных данных

Выражения для эквивалентных Y-параметров ПТ, включенного по схеме с ОИ определяют:

Где з, с, и соответственно затвор, сток и исток ПТ; τ — время пролета носителей,

Граничную частоту единичного усиления ПТ fT можно оценить по формуле:

fT = 1/2πτ.

Анализ полученных выражений для эквивалентных Y-параметров ПТ, проведенный с учетом конкретных численных значений справочных параметров, позволяет сделать вывод о незначительной зависимости крутизны от частоты, что позволяет в эскизных расчетах использовать ее низкочастотное значение S0. При отсутствии справочных данных о величине внутренней проводимости ПТ gi, в эскизных расчетах можно принимать gi≈0 ввиду ее относительной малости.

Пересчет эквивалентных Y-параметров для других схем включения ПТ осуществляется по тем же правилам, что и для БТ.

9. Составной транзистор – это комбинация двух (или нескольких) транзисторов, которую можно рассматривать как единое целое.

Наибольшее распространение среди составных транзисторов получила схема Дарлингтона (рис. 2.1) в которой используются транзисторы с одним типом проводимости (например, n–р–n). Главная особенность схемы – большая величина коэффициента передачи базового тока b = h21. Действительно, если пренебречь тепловыми токами транзисторов, из рис. 2.1 следует:

Для увеличения выходной мощности могут быть использованы бустеры на составных транзисторах, включенных по схеме Дарлингтона (рисунок 4.15), у которой коэффициент передачи по току равен произведению коэффициентов передачи тока базы транзисторов и причем возможна однокристальная реализация данной структуры, например, составной транзистор КТ829.

Из полевых транзисторов в УМ более пригодны МОП- транзисторы с индуцированными каналами n- и p- типа, имеющими такой же характер смещения в цепи затвор-исток, как и у биполярных, но имеющих более линейную входную ВАХ, приводящую к меньшему уровню ВАХ. Схема УМ на ПТ указанного типа приведена на рисунке 4.16.

В данном каскаде введена положительная ОС по питанию путем включения резистора последовательно с . В точку a выходное напряжение подается черезконденсатор и служит "вольтодобавкой", увеличивающей напряжение питания предоконечного каскада в тот полупериод, в который ток транзистора уменьшается. Это позволяет снять с него достаточную амплитуду напряжения, необходимую для управления оконечным истоковым повторителем, повышает выходную мощность и КПД усилителя. Аналогичная схема "вольтодобавки" применяется и в УМ на БТ.

Дата добавления: 2015-11-28