К каждому отчету должна прилагаться ксерокопия описания лабораторной работы.

8.Контрольные вопросы:

.8.1.Поясните структуру биполярных транзисторов, наименование и назначение электродов.

8.2. Типы биполярных транзисторов по структурному построению, наименование переходов, их условное графическое обозначение.

8.3. Приведите схемы включения транзисторов с ОБ, ОЭ, ОК. Приведите формулы и величины коэффициентов усиления по току и напряжению и применение этих схем включения.

Литература

1. «Электротехника и электроника» под редакцией Б.И. Петленко Москва «Академия» 2007 год.

2. М.В. Немцов, М. Л. Немцова «Электротехника и электроника» Москва «Академия» 2007 год.

3. Ф.Е. Евдокимов. Общая электротехника. Учебник. М.: Высшая школа, 1990г.

4. Ю.П. Черкасов, Э.М. Моисеевич. Учебное пособие. Электротехника и электрооборудование киноустановок. М.: Высшая школа, 1991 г.

5. Л. А. Частоедов. Электротехника. Учебник. М.: Высшаяшкола, 1989 г.

6.Е.О. Федосеева «Основы электроники и микроэлектроники» М., Высшая школа, 1990г

Преподаватель Губская Н. А.

Лаборатория электронной техники

Лабораторная работа № 4

Полевой транзистор

Цель работы.

Изучить свойства полевого транзистора.Снять и исследовать стоковые и стоко-затворную характеристики. Рассчитать основные параметры.

Оборудование лабораторного стенда СЛИ -1

В соответствии с приведенной принципиальной электрической схемой

3. Порядок выполнения работы.

3.1 Собрать принципиальную электрическую схему.

Принципиальная электрическая схема измерений

3.2.Рассчитать цену деления измерительных приборов и записать в Табл.1

Табл.1

Наименование прибора	Предел измерения	Цена деления
PV1 В
РА1 мА
PV2 В

3.3. После проверки схемы преподавателем, включить стенд в следующей последовательности: 3.4.Установить полярность источников Е1 0…3 в и Е2 0…15 В ивольтметров PV1, PV2; мА 1 в соответствии с обозначением на схеме.

.3.5. Снять стоковые характеристики транзистора для чего:

3.5.1. Установить напряжение источника Е2 0…3В по вольтметру PV1 Uзи= 0В.

3.5.2. Изменяя значения Uси на источнике Е1 0…15 В по PV2 согласно табл.2 и записывать значения Iс помиллиамперметру РА1.

3.5.3. Аналогично измерение Iс произвести при Uзи= 1В.

3.6. Снять стоко-затворную характеристику транзистора для чего:

3.6.1.Установить на источнике Е1 0…15 В по PV2 Uси=5В

3.6.2. Изменяя значения Uзи на источнике Е1 0…3 В по PV1 Uзи согласно табл.2 и записывать значения Iс помиллиамперметру РА1

3.6.3.. Аналогично измерение Iк произвести при Iб= 0,3мА

Таблица 2. измерений и расчетов.

№ п/п

Замеры и расчеты

Стоковые характеристики

Uси В

Uзи=0В

Iс мА

Uзи=1В

Iс мА

Стоко-затворная характеристика

Uзи В

0,4

0,8

1,4

2,0

2,6

Uси=5В

Iс мА

5. Расчетные формулы:

S= ∆ Iс/ ∆ Uзи при Uси = const; Ri = ∆ Uс/ ∆ Iс при Uзи; µ = S* Ri

6. По данным замеров и расчетов построить графики зависимостей:

Iс = f (Uси); Iс = f (Uзи)

7. Отчет должен содержать:

7.1. Наименование работы

7.2. Цель работы

7.3. Графики

7.4. Ответы на контрольные вопросы

Дата добавления: 2015-11-26