Sdram и DDR sdram

Самой распространенной памятью на сегодняшний день для IBM PC являются два вида памяти

SDRAM synchronic dynamic random access memory

DDR SDRAM double data rate synchronic dynamic random access memory

Рис. 7.17. Временные диаграммы работы SDRAM и DDR SDRAM

CL(CAS latency) – количество тактов до первого DOUT

Репрограммируемое ПЗУ (EPROM,EEPROM)

Микросхемы РПЗУ допускают многократное, до сотен тысяч, циклов перепрограммирования на рабочем месте пользователя. Это свойство обеспечивается применением ЭП на МОП транзисторах с "плавающим затвором". Толщина изоляции "плавающего затвора" порядка 200 ангстрем. Информация считается стертой, если на выходах всех ЭП высокий уровень сигнала. В режиме программирования, на выбранный по адресной шине ЭП, куда необходимо записать ноль, подается импульс. Стирание осуществляется УФ-излучением (EPROM), либо электрически (EEPROM). При этом все ячейки переводятся в состояние "1". Записанная информация сохраняется в течение нескольких лет. Одной из м/с этого типа является EPROM 573РФ2 с организацией (2К * 8) и тристабильными выходами.

В Flash-памяти толщина изоляции "плавающего затвора" менее 100 ангстрем, поэтому при перепрограммировании используется туннельный эффект.

Однократно программируемое ПЗУ (OTP,PROM)

ППЗУ в качестве элементов памяти имеют набор плавких перемычек, которые в процессе программирования пережигаются импульсами тока. На рис.7.18 приведена схема ППЗУ.

Рис. 7.18

Для любого значения адресных сигналов найдется единственный выход дешифратора "i" на котором сигнал Yi = 1, на остальных выходах будут нули. Потенциал базы j-транзистора будет зависеть в этом случае только от наличия или отсутствия перемычки fi. Если перемычка есть (fi=1), то на базе высокий уровень сигнала, транзистор открыт и выходной сигнал DOj = 0. Если перемычки нет (fi=0),то DOj=1.Пережиганием перемычек в соответствующих j-битах всех адресов, в микросхему записывается программа и/или данные.

Энергонезаваисимая память (NVRAM,Flash)

Всякая память сохраняющая данные при отключении внешнего источника питания может считаться энергонезависимой - NonVolatile Memory, однако этот термин больше утвердился за статической оперативной памятью:

· с встроенной в микросхему литиевой батарейкой большой емкости,

· с дополнительной EEPROM на том же кристалле, причем обмен данными между SRAM и EEPROM производится, либо программно, либо автоматически при падении/восстановлении напряжения.

Дата добавления: 2015-12-08