Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Инвертор.

Логический элемент НЕ называют инвертором, т.к. он инвертирует логическую величину x в :

(2)

Условное обозначение инвертора показано на рис.1a. Функция инверсии обозначена кружком на выходе схемы. Этот кружок можно перенести и на вход схемы (рис.1б), что является справедливым только в случае инвертора. Инверсия, выполненная дважды, восстанавливает первоначальную величину.

В практической схеме инвертора может быть использован транзистор, выполняющий функции электронного ключа (рис.2а).

Для реализации двух значений переменной используются два режима работы транзистора: режим отсечки (транзистор закрыт) и режим насыщения (транзистор открыт). Если напряжение UВХ= 0 (соответствует логическому 0), то под действием напряжения смещения ECM транзистор будет закрыт, т.е. . Падение напряжения на резисторе RК, равно . Поэтому напряжение , что соответствует логической 1. При подаче на вход напряжения, со­ответствующего логической 1, транзистор открывается. При этом , , что соответствует логическому 0. Рассмотренная схема инвертора представляет собой пример резисторно-транзисторной логики (РТЛ)

Инвертор с электронным ключом на транзисторе собирают и по схеме, показанной на рис.2б. Диод VD1, включённый с резистором R в цепь делителя для подачи напряжения смещения, ограничивает величину обратного напряжения на эмиттерном переходе транзистора VT1 (для напряжения смещения диод включен в прямом направлении, поэтому обладает малым сопротивлением RПР << R ) и тем самым обеспечивает надежность работы транзистора в течение длительного времени, т.к. при малом обратном напряжение может произойти про­бой эмиттерного перехода. Резистор R5 ограничивает величину прямого тока через эмиттерный переход,когда транзистор работает в режименасыщения, определяя в этом режиме IБН и IКН = βIБН.


Дата добавления: 2015-07-08; просмотров: 133 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: ДВУХПОЛУПЕРИОДНАЯ ОДНОТАКТНАЯ СХЕМА | ОДНОФАЗНАЯ МОСТОВАЯ СХЕМА | ВЫПРЯМИТЕЛИ С УДВОЕНИЕМ НАПРЯЖЕНИЯ | Лабораторная работа 7. Изучение однофазного трансформатора | СХЕМА МУЛЬТИВИБРАТОРА С КОЛЛЕКТОРНО-БАЗОВЫМИ СВЯЗЯМИ. | СХЕМА МУЛЬТИВИБРАТОРА С БЛОКИРОВКОЙ КОЛЛЕКТОРНЫХ ПОТЕНЦИАЛОВ | ПОТЕНЦИАЛОВ | ТРИГГЕРЫ | Изучение работы триггера. | РЕЖИМ РАЗДЕЛЬНОГО ПУСКА |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ| Конъюнктор.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)