Антисовпадательная защита.

При прохождении заряженной частицы через вещество сцинтиллятора образуется световая вспышка. Для преобразования светового сигнала в электрический используются фотоэлектронные умножители. Образовавшие фотоны, попадая на фотокатод ФЭУ (при использовании вакуумного ФЭУ), выбивают в нем электроны (фотоэлектроны) за счет фотоэффекта. Далее эти электроны под действием ускоряющего электрического поля попадают на систему динодов, где их поток умножается под действием вторичной электронной эмиссии. Сигнал снимается с анода, коэффициент усиления некоторых ФЭУ достигает 10¹¹[2]. Обычно напряжение питания ФЭУ ~ 1000 В. Типичная схема вакуумного ФЭУ представлена на рисунке 1:

Рис.1. Схема вакуумного ФЭУ.

Антисовпадательная защита представляет собой систему из нескольких сцинтилляционных детекторов, включенных в схему антисовпадений. Схема антисовпадений - это электрическая импульсная схема, которая вырабатывает на выходе электрический запрещающий сигнал при условии прохождения частицы через один или несколько сцинтилляторов. При наличии данного сигнала система блока регистрации основного ксенонового гамма-детектора не будет производить запись информации об этом событии.

В эксперименте «Сигнал» антисовпадательная защита должна закрывать весь ксеноновый гамма-детектор, и поэтому является составной. Гамма-детектор имеет цилиндрическую форму, с его торцов защита будет изготовлена из сцинтиллятора в форме диска. Схема антисовпадательной защиты представлена на рисунке 2:

Рис.2. Принципиальная схема антисовпадательной защиты

Для боковой поверхности рассматривались различные варианты геометрии расположения сцинтилляционных детекторов. Изначально планировалось выполнить боковую защиту в форме полого цилиндра, но такая форма сложна в производстве, дорогостоящая и имеет ряд других недостатков. Другой вариант геометрии – составной сцинтиллятор, собранный из пластин в прямоугольной или трапециевидной формы. При такой форме сцинтиллятора есть возможность расположить пластины в один или несколько слоев (Рисунки 3, 4).

Рис.3. Утвержденный вариант расположения пластин

Рис.4. Возможный вариант расположения пластин

Дата добавления: 2015-07-08