Цель работы: изучение свойств полевого транзистора, исследование его характеристик и параметров в пентодном режиме.

Лабораторная работа № 2

"Исследование полевого транзистора с затвором на основе p-n – перехода и каналом __-типа"

Цель работы: изучение свойств полевого транзистора, исследование его характеристик и параметров в "пентодном" режиме.

2. Задание:

2.1 Ознакомиться с паспортными данными транзистора _____. Записать предельно допустимые эксплутационные данные, которые нельзя превышать при проведении измерений.

2.2. Собрать схему для снятия "пентодных" характеристик транзистора ______.

2.3. Снять стоковые характеристики транзистора: I_С=f(U_С) при напряжении на затворе U_З=0В; =1В; =2В; =3В. Напряжение на стоке изменять от 0 до 3В через 0,5В и далее до 15В через 2В. Показания приборов занести в таблицу.

2.4 Снять стоко-затворные характеристики транзистора: I_С=f(U_З) при напряжении на стоке U_С=-5В; -7,5В; -10В. Напряжение на затворе изменять от 0 до 5В через 0,5В. Показания приборов занести в таблицу.

3. Обработка результатов измерений:

3.1. Построить стоковые характеристики триода I_С=f(U_С) для заданных напряжений затвора U_З.

3.2. По стоковым характеристикам определить:

а) напряжение насыщения стока U_С.Н.

б) ток насыщения транзистора I_С.Н. при U_З=0В и U_С=U_С.И.О.

в) выходное сопротивление транзистора при U_З=0В и U_С>U_С.Н. по формуле R_ВЫХ = U_С/dI_С

г) сопротивление полностью открытого канала R_К.О.

3.3. Построить стоко-затворные характеристики I_С = f(U_З) для заданных значениях напряжений на стоке U_С.

3.4. По стоко-затворным характеристикам определить:

а) напряжение отсечки U_З.О.

б) максимальную крутизну транзистора S_MAX =dI_С/dU_З при U_С=U_С.Н.

Рис. 1. Схема измерения характеристик полевого транзистора в «пентодном» режиме.

Таблица 1.

Стоковые характеристики транзистора: I_С = f(U_С)

UЗ,В

Uс,В

0,5

1,5

2,5

Iс,мА

Iс,мА

Iс,мА

Iс,мА

Таблица 2.

Стоко-затворные характеристики транзистора: I_С=f(U_З)

UС,В		UЗ,В
	0,5		1,5		2,5		3,5		4,5
-5	Iс,мА
-7,5	Iс,мА
-10	Iс,мА

Рис. 2. Стоковые характеристики транзистора.

Рис. 3. Стоко-затворные характеристики транзистора.

Напряжение насыщения стока UС.Н.
Ток насыщения транзистора IС.Н.
при UЗ=0В
при UС=UС.И.О.
Выходное сопротивление транзистора
при UЗ=0В
при UС>UС.Н.
Сопротивление полностью открытого канала RК.О
Напряжение отсечки UЗ.О.
Максимальная крутизна транзистора SMAX при UС=UС.Н.

Выводы:

Указания к работе: Полярность напряжений и пределы изменения должны соответствовать типу транзистору.

Дата добавления: 2015-07-08