Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Типовая схема включения варикапа в колебательный контур

Читайте также:
  1. I. Схема
  2. I. Схема кровотока в кортикальной системе
  3. ICE-гель для контура глаз освежающий (15 мл) 150 руб . (Белита)
  4. III. Схема функционирования ЮГА
  5. Nbsp;   Схема лабораторной установки
  6. Nbsp;   Схема опыта нагрузки
  7. А. Схема классификации соединительных тканей.

Принцип работы: при изменении напряжения управления Uупр с помощью резистора R2, изменяется ёмкость варикапа, что, в свою очередь, приводит к изменению резонансной частоты колебательного контура. Варикапы используются в системах ДУ телевизоров, АПЧ приёмников и радиотелефонов для настройки на частоту передатчика и в других устройствах автоматики .

Туннельный и обращенный диоды

Туннельные – это ПП-диоды, у которых в прямой ветви ВАХ имеется участок с отрицательным дифференциальным сопротив-лением, позволяющим их применять для генерирования ВЧ колебаний и в быстродействующих узлах импульсных переключателей схем автоматики.

 

Обычные ПП-диоды – это пассивные приборы, в которых энергия источника переходит в тепловую (положительное сопротивление), а туннельный диод-единственный активный прибор, так как обладает отрицательным сопротив-лением, увеличивающим энергию тока! Его падающий участок «Б-В» обус- ловлен квантомеханическим туннельным эффектом, заключающемся в том, что вопреки законам классической механики в отсутствие внешнего напряжения при очень узком р-п переходе в т.н. вырожденных полупровод-никах (с высокой концентрацией примесей атомов около 1024 1/м3) в P-N переходе создается сильное эл.поле Е ≈ 108 В/м и очень тонкий ( 5-15 нм) потенциальный барьер, и практически без затраты энергии электроны проводимости n-области непосредственно проникают (туннелируют) через этот барьер (показаны стрелками) на свободные уровни (дырки)ВЗ р-области, а валентные электроны р-области туннелируют в ЗП п-области т.е. возникает равновесный туннельный ток .При приложении обратного и небольшого прямого напряжений одна из составляющих тока начинает преобладать и образует ток туннельного эффекта (участок АОБ на ВАХ).

В максимальной точке Б ВАХ электроны с n-стороны достигают всех вакантных состояний на p-стороне и дальнейший рост числа туннелирующих электронов не приводит к перемещению их через барьер из-за отсутствия нужных энергетических уровней, и в результате ток уменьшается до нуля (участок Б-В) При этом в энергетической диаграмме потолок ВЗ p-стороны совмещается с дном ЗП n-стороны (рисунок «в» ниже). По мере дальнейшего повышения прямого напряжения (рисунок «г») туннельный эффект полностью прекращается и p-n переход приобретает свойства обычного диода (участок ВГ ВАХ рисунок «б»).

 


Дата добавления: 2015-07-07; просмотров: 470 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Приборы без Р-N перехода : термо, тензо и магниторезисторы, варисторы , датчики Холла. | Фотоэлектронные приборы: фоторезисторы, фото и светодиоды | Квадрант IV его ВАХ – фотогенераторный, а квадрант III - фотодиодный | Приборы без Р-N перехода : термо, тензо и магниторезис-торы, варисторы , датчики Холла. | Полупроводниковый элемент; 2 – электрод; 3 – вывод; 4 – защитное покрытие |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Стабилитроны, варикапы, туннельные диоды и тиристоры| Обозначение и вид динистора Вид тиристора

mybiblioteka.su - 2015-2021 год. (0.008 сек.)