Схема с общим эмиттером

Наиболее часто транзисторы включаются по схеме с общим эмиттером (ОЭ), когда общим зажимом для входного и выходного напряжений является эмиттер. На рис. 1.5.4 показана простейшая схема усилителя с ОЭ. На схеме приведены направления токов эмиттера, базы и коллектора, выбранные в качестве положи­тельных.

Ток коллектора равен

1к= h_21эxlвх. (1.5.4)

где h_21э = dI_к/dI_б при U_кэ=const

Рис. 1.5.4. Простейшая схема усилителя е ОЭ

На рис. 1.5.5 показаны выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ. Параметром выходных характеристик является не ток эмиттера, а ток базы. Они заметно отличаются от выходных характеристик для схемы с ОБ. Во-первых, как уже указывалось, ток /яэо в 50—100 раз больше, чем ток 1_Кво- Во-вторых, наклон характеристик значительно больше, чем в схеме с ОБ. В-третьих, при одинаковом приращении тока базы приращения тока коллек­тора оказываются неодинаковыми. В-четвертых, характеристики не доходят до оси ординат.

Рис.1.5.5

При очень малых напряжениях и_кэ наблюдаются резкое паде­ние коллекторного тока с уменьшением напряжения ukq и незави­симость тока коллектора от тока базы. Говорят, что транзистор при этом входит в режим насыщения, который характеризуется тем, что при малых напряжениях коллектор — эмиттер оба р-п, перехода, как эмиттерный, так и коллекторный, оказываются сме­щенными в прямом направлении. Например, когда напряжение коллектор — эмиттер транзистора р-п-р- типадостигает значения икэ—— 0,2 В, а напряжение на базе относительно эмиттера ока­зывается «бэ-— 0,3 В, напряжение коллектора относительно базы wkb=+o,! В.

Отметим, что напряжение U_вх, при котором наступает насыще­ние, очень невелико и у кремниевого транзистора. Например, на­пряжение насыщения U кэнас кремниевого транзистора р-п - р -типа может быть также равно —0,2 В при и_вд=— 0,9 В и «кв=+0,7 В и только при очень больших токах базы и коллектора напряже­ние насыщения Uкэнас равно 0,5—1 В.

Входные характеристики. На рис. 1.5.6 а приведены входные вольт-амперные характеристики германиевого р-п-р- и кремниевого n-p-п -транзисторов в схеме с ОЭ. Проходные характеристики. Зависимости выходного тока 1_К от напряжения и_бэ на входе приведены на рис. 1.5.6 б.

Рис. 1.5.6. Характеристики германиевого p-n-p-транзистора МП-41 и кремние­вого n-p-n-транзистора КТ-315 в схеме с ОЭ: а- входные; б -проходные характеристики.

Рис. 1.5.7 Работа в режимах А и В.

Рис. 1.5.8. Схема стабилизации рабочей точки с делителем на­пряжения в цепи базы и сопро­тивлением в цепи эмиттера.

Дата добавления: 2015-07-08