Читайте также:
|
Задание по вариантам 1-14
Полагая, что уменьшение эквивалентной добротности контура Qэ за счет влияния сопротивления источника Ri и сопротивления нагрузки RH примерно одинаково (таблица 1.3.1), расчитать параметры контура на выходе усилителя (рисунок 1.1.1а), где р1- коэффициент включения источника в контур, р2- коэффициент включения нагрузки в контур, L1, L2- индуктивности, С1, С2- емкости, Lk- индуктивность контура, Ск- емкость контура.
Рассчитать коэффициент усиления усилителя в линейном режиме, полагая, что рабочая точка выбрана в середине линейного участка проходной характеристики транзистора.
Рассчитать и построить график нормированной АЧХ устройства.
Данные для расчета в таблице 4.3.1. Частота резонанса совпадает со входной.
Таблица 1.3.1 Исходные данные для расчета резонансной системы усилителя на полевом транзисторе
| NB | ||||||||||||||
| Ri, кОм | 0,1 | 0,2 | 0,3 | 0,4 | 0,5 | 0,6 | 0,7 | 0,8 | 0,9 | 1,0 | 1,1 | 1,2 | 1,3 | 1,4 |
| р, Ом | ||||||||||||||
| Q0 | ||||||||||||||
| RH,Ом | ||||||||||||||
| Qэ | ||||||||||||||
| fp, кГц |
Где Ri- сопротивление канала полевого транзистора;
r – характеристическое сопротивление контура;
Q0- собственная добротность резонансного контура, определяемая активными потерями индуктивности контура L1 и L2;
RH- сопротивление нагрузки;
Qэ- эквивалентная добротность контура;
fp- частота резонанса.
Вариант 15-30
По исходным данным таблицы 1.3.2 для схемы усилителя (рисунок 1.1.1в) рассчитать параметры последовательного контура эквивалентной схемы входной цепи усиления (рисунок 1.1.1г).
Рассчитать значения параметров L1, rL1,Cg1, Cэ, р1 – коэффициент включения входной цепи транзистора в контур.
Рассчитать полосу пропускания контура с учетом влияния сопротивления источника RГ и сопротивления нагрузки RЭ и при их отсутствии, если потери в контуре обусловлены только активным сопротивлением катушки rL.
Рассчитать коэффициент усиления усилителя на частоте резонанса в линейном режиме.
Рассчитать и построить график нормированной АЧХ устройства.
Данные для расчета следует выписать из табл. 4.3.2 для своего варианта.
Таблица 1.3.2 Исходные данные для расчета резонансной системы усилителя на биполярном транзисторе
| NB | ||||||||||||||||
| RГ | ||||||||||||||||
| р, Ом | ||||||||||||||||
| Q0 | ||||||||||||||||
| Rэ, КОм | ||||||||||||||||
| Qэ | ||||||||||||||||
| fp, кГц |
Где: RГ- сопротивление источника сигнала;
р – характеристическое сопротивление контура;
Q0- собственная добротность резонансного контура, определяемая активными потерями индуктивности контура L1;
Rэ- активная составляющая входного сопротивления транзистора;
Qэ- эквивалентная добротность резонансного контура;
fp- частота резонансного контура.
Дата добавления: 2015-11-03; просмотров: 49 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Резонансные цепи | | | САМОСТОЯТЕЛЬНАЯ РАБОТА №5 |