Читайте также:
|
Рассмотрим в начале процесс восстановления тока 
и 
при включении напряжения 
, предположив, что увеличивается скачком, и т.к. процесс в эмиттерном переходе практически безинерционны и ток эмиттера увеличивается скачком.
Наличие интервала времени в течение которого происходят нарастания объясняется тем, что дырки диффундирующие в базу имеют свои тепловые скорости и в начале только часть дырок подходят к коллекторному переходу, а затем их количество увеличивается и становится постоянным в течение действия определенного на входе,
В это время будет изменяться коэффициент по току: где 
- коэффициент передачи по току на низкой частоте
Инерционность движение дырок в базе сказывается и в случае работы транзистора в режиме усиления синусоидального сигнала ВЧ. Если время движения дырок от эмиттерного перехода к коллекторному в p-n-p транзисторе сравнимо с периодом усиления сигнала, то закон изменения концентрации дырок в Б инжектированных Э не будет убывать от Э к К.
Если в какой-то момент времени амплитуда переменного сигнала будет увеличивать постоянное напряжение задающее прямое смещение на эмиттерном переходе, то поток дырок увеличивается,т.к. высота барьера уменьшается.
Пусть в течении полупериода дырки дойдут до середины базы, полярность синусоидального сигнала изменится, величина прямого смещения уменьшится, поток инжектированных из Э дырок уменьшится.
В следствии этого в базе на ряду с диффузионным движением дырок по направлению к коллекторному переходу возникает диффузионное движение электронов, это приведет к уменьшению и к уменьшению коэффициента 
. Инерционность процессов в базе приводит к фазовому сдвигу между токами и 
становится комплексной величиной.
Дата добавления: 2015-10-02; просмотров: 44 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Параметры | | | Предельная частота |