Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Статические характеристики в схеме с общим эмиттером.

Особенности германиевых и кремниевых ВД | Импульсные диоды | Температура шумов | Добротность | Прямое смещение на диод. | P-i-n диоды | Температурный коэффициент напряжения | Температурный коэффициент ёмкости | Принцип действия биполярных транзисторов | Статические характеристики БТ |


Читайте также:
  1. II. Характеристики Божьего остатка
  2. Вина и ее основные характеристики
  3. Возможности характеристики крупности
  4. Воспринимаемые и объективные характеристики работы
  5. ДОКАЗАТЕЛЬСТВО ХАРАКТЕРИСТИКИ СЕКУНДЫ КАК УНИВЕРСАЛЬНОГО КВАНТА ВРЕМЕНИ
  6. Зависимость характеристики и параметров диодов от температуры
  7. и их характеристики (по Н. Моисеевой и П. Забелену)

1. ;

Эти характеристики сходны с входными характеристиками в схеме с общей базой. Но ток << и его приращение на единицу значительно меньше, поэтому масштаб по оси токов выбирают много крупнее, чем масштаб в схеме с общей базой. При =0 =0, а =

С увеличением при ток уменьшается, т.к. уменьшается ширина базы, а значит, уменьшается вероятность рекомбинации (дырок) неосновных носителей в базе.

2. выходные характеристики ;

Выходные характеристики отличаются от характеристик в схеме с общей базой начальным участком при малых . Из семейства характеристик и схемы включения БТ с ОЭ видно, что на Б и К подается отрицательное относительно Э напряжение. Чтобы коллекторный переход был закрыт (активный режим) необходимо чтобы потенциал коллектора был отрицательнее потенциала базы > . Активному режиму будет соответствовать та часть выходной характеристики, которая находится в области, где выполняется это неравенство.

При < коллекторный переход открыт, транзистор в режиме насыщения и из коллектора идет диффузионный поток дырок, который компенсирует поток дырок, идущий из эмиттера в коллектор через базу.

Ток быстро падает при уменьшении . В активном режиме в зависимости имеется больший наклон к оси абсцисс, чем в схеме с ОБ. Это объясняется тем, что для поддержания требуется большее изменение , чем для сохранения в схеме с ОБ. В данной схеме при =0 возникает ток , который больше тока . Объясняется это тем, что через коллекторный переход при протекает не только тепловой ток К, но и электронная составляющая тока Э. Ток коллектора равен только при отрицательном .

Неравное расстояние между соседними кривыми при равном приращении объясняется увеличением вероятности рекомбинации неосновных носителей в Б с возрастанием уровня инжекции из Э.

При больших отрицательных в коллекторном переходе развивается пробой, причем допустимое значение в 2-3 раза меньше допустимого . В случае высокой удельной проводимости Б возникает лавинный пробой, но если низкое значение удельной проводимости возникает прокол(области ЗС эмиттерного и коллекторного переходов перекрывается, ток коллектора увеличивается)

3. Характеристики передачи тока ;


Характеристики передачи тока в схеме с ОЭ составляют с осью абсцисс значительно меньший угол, т.к. масштаб по оси значительно больше, чем с ОБ (). Отклонение характеристики от прямолинейного закона при увеличении объясняется уменьшении времени жизни неосновных носителей при росте уровня инжекции. Смещение характеристик в зависимости от напряжения и это является следствием уменьшения ширины базы и увеличения

4. Характеристики обратной связи ;

Эти характеристики отличаются от аналогичной схемы углом наклона из-за уменьшения при увеличении за счет уменьшения ширины базы в отличии от характерного роста при возрастании в схеме с общей базой.

 


Дата добавления: 2015-10-02; просмотров: 42 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Статические характеристики в схеме с общей базой| Статические характеристики в схеме с общим коллектором

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.009 сек.)