Тестовые задания. 9.1. Теплоемкость твердого тела зависит от температуры в области высоких температур

9.1. Теплоемкость твердого тела зависит от температуры в области высоких температур …

1) ~ Т ^–1 2) не зависит и равна 3 R 3) ~ Т ³ 4) ~ 5) ~ Т

9.2. Теплоемкость твердого тела зависит от температуры в области низких температур …

1) ~ Т ³

2) ~ Т ^–1

3) не зависит и равна 3 R

4) не зависит и равна 3/2 R

5) ~ Т

9.3. Уровень Ферми в собственном полупроводнике располагается …

1) посередине запрещенной зоны

2) у потолка валентной зоны

3) у дна зоны проводимости

4) посередине валентной зоны

9.4. Физический смысл энергии Ферми заключается в одном из следующих утверждений …

1) минимальная энергия электрона проводимости в металле при 0 К

2) максимальная энергия электрона проводимости в металле при 0 К

3) энергия, определяющая дно зоны проводимости

4) энергия, определяющая потолок валентной зоны

II

III

I

Δ E = 1 эВ

9.5. На рисунке приведено зонное строение кристалла при 0 К, который является …

1) полупроводником

2) диэлектриком

3) проводником

4) однозначного ответа нет

9.6. Твердые тела являются проводниками, если …

1) валентная зона заполнена электронами полностью

2) в валентной зоне есть свободные энергетические уровни

3) зона проводимости заполнена полностью

4) в зоне проводимости есть свободные энергетические уровни

9.7. Если валентная зона заполнена электронами, но при этом перекрывается с зоной проводимости, то твердое тело является …

1) диэлектриком

2) проводником

3) полупроводником

4) проводником и полупроводником одновременно

9.8. Полупроводниками называются кристаллы, у которых при 0 К …

1) перекрыты валентная зона и зона проводимости

2) заполнена зона проводимости

3) нет запрещенной зоны

4) заполнена валентная зона

5) зона проводимости заполнена частично

9.9. Основными носителями тока в химически чистых полупроводниках являются …

1) только электроны

2) только дырки

3) электроны и ионы акцепторных атомов

4) дырки и электроны

5) дырки и ионы акцепторных атомов

9.10. Из приведенных ниже положений правильными для собственных полупроводников являются …

А) дырки возникают при захвате электронов атомами акцепторной примесей

Б) уровень Ферми расположен посередине запрещенной зоны

В) валентная зона заполнена электронами не полностью

Г) сопротивление полупроводников уменьшается с повышением температуры

1) А, Б 2) Б, В 3) В, Г 4) Б, Г 5) А, Г

9.11. Донорные примесные уровни располагаются …

1) в середине запрещенной зоны

2) у потолка валентной зоны

3) у дна зоны проводимости

4) между уровнем Ферми и потолком валентной зоны

5) между уровнем Ферми и дном зоны проводимости

9.12. С точки зрения зонной теории отрицательные носители тока в полупроводниках n- типа образуются в результате перехода электронов …

А) из валентной зоны в зону проводимости

Б) с донорного уровня в зону проводимости

В) между уровнями валентной зоны

Г) из валентной зоны на донорный уровень

1) А, Б 2) Б, В 3) В, Г 4) Б, Г 5) А, Г

9.13. Двойной электрический слой на границе р-n - перехода образуют …

1) дырки и электроны

2) отрицательные ионы акцепторного атома и положительные ионы донорного атома

3) отрицательные ионы донорного атома и положительные ионы и акцепторного атома

4) дырки и отрицательные ионы донорного атома

5) электроны и положительные ионы и акцепторного атома

9.14. Положительный электрический слой на границе p - n - перехода образуется …

1) позитронами

2) положительными ионами акцепторной примеси

3) протонами

4) положительными ионами донорной примеси

5) дырками

9.15. Отрицательный электрический слой на границе p-n - перехода образуется …

1) электронами

2) дырками

3) отрицательными ионами донорных атомов

4) отрицательными ионами акцепторных атомов

9.16. Односторонняя проводимость р-n - перехода объясняется …

1) диффузией носителей тока

2) зависимостью сопротивления р-n - перехода от направления внешнего электрического поля

3) превышением концентрации основных носителей тока над неосновными

4) рекомбинацией носителей тока

9.17. Слабый ток через полупроводниковый диод при запирающем напряжении обусловлен …

1) увеличением толщины контактного слоя, обеднённого основными носителями тока

2) препятствием внешнего электрического поля движению основных носителей тока через p-n - переход

3) уменьшение сопротивления p - n - перехода

4) ускорением внешним электрическим полем движения неосновных носителей тока через p-n - переход

9.18. Твердые тела не проводят электрический ток при 0 К, если…

1) в запрещенной зоне нет примесных уровней

2) в валентной зоне есть свободные энергетические уровни

3) зона проводимости заполнена электронами целиком

4) валентная зона заполнена электронами целиком

Дата добавления: 2015-08-17