Послідовність виконання роботи

Кафедра теоретичної електротехніки

Лабораторна робота №1

з дисципліни “Електротехніка і електроніка”

“Дослідження транзисторів”

Виконав: студент 2 курсу

ТЕФ, гр. ТП-02

Григорчук М. С.

Перевірив: Поворознюк Н. І.

Київ —2011

Мета роботи: дослідження біполярних транзисторів

Послідовність виконання роботи

1. Побудувати засобами Electronic Workbench електричне коло, наведене на рис. 1.1.

Рис. 1.1

2. Зняти дві вхідних характеристик біполярного транзистора, увімкненого за схемою зі спільним емітером, тобто залежність струму бази І_В від напруги база-емітер U_BE, за умови, що напруга на колекторі транзистора незмінна, а саме І_В = f (U_BE), якщо U_СE = const.

Для зняття вхідної характеристики потрібно змінювати значення джерела напруги Е1 від нуля з кроком 100 мВ до такого значення, коли струм бази буде у десятки разів більший ніж при напрузі U_BE=650 мВ. Дві вхідні характеристики транзистора зняти при значеннях напруги колектор-емітер U_СE =0 В, U_СE =5 В.

3. Результати вимірювань значень вхідного струму і вхідної напруги записати у таблицю 1.1.

Табл. 1.1

№ досліду
UСE =0 В	ІВ, мА	3,858	6,863	14,08	22,21	30,86	39,86	48,95	58,24	67,62	77,07
UBE, мВ
UСE =5 В	ІВ, мА	41,41 *10^-3	225,4 *10^-3	3,061	9,9	18,26	27,2	36,42	45,81	53,31	64,89
UBE, мВ

4. За результатами вимірювання побудувати графіки двох вхідних характеристик у єдиній системі координат.

5. Зняти три вихідні характеристики біполярного транзистора, увімкненого за схемою зі спільним емітером, тобто залежність струму колектора І_С від напруги колектор-емітер U_СE, за умови, що струм бази транзистора незмінна, а саме І_С = f (U_СE), якщо I_B = const.

Для зняття вихідної характеристики потрібно змінювати значення джерела напруги Е2 від нуля з кроком 2 В до 20 В. Три вхідні характеристики транзистора зняти при значеннях струму бази, коли напруга база-емітер більша потенціального бар’єра. Ці три значення струму бази визначити по вхідній характеристиці.

Результати вимірювань записати у таблицю.

Табл. 1.2

№ досліду
ІВ=14.08 мА	UСE, В
ІС, мА	-10,24	181,6	187,8		200,2	206,4	212,6	218,8		231,2	237,4
ІВ=30.86 мА	UСE, В
ІС, мА	-15,85	516,6	534,2	551,9	569,5	587,2	604,8	622,5	640,1	657,7	675,4
ІВ=48.95 мА	UСE, В
ІС, мА	-19,16	749,4	775,1	800,7	826,3		877,6	903,2	928,8	954,4

1. За результатами вимірювання побудувати графіки трьох вихідних характеристик у єдиній системі координат.
2. Зняти залежність коефіцієнта підсилення струму бази β від частоти, тобто β =f(ω), для чого потрібно побудувати засобами Electronic Workbench електричне коло, наведене на рис.1.2.

Рис. 2.4

8. Щоб зняти залежність коефіцієнта підсилення струму бази β від частоти, тобто β =f(ω), потрібно перевести амперметри А1 та А2 у режим вимірювання змінного струму (АС). Значення напруги джерела Е1 слід вибрати більшим за потенціальний бар’єр на десяток відсотків. Діюче значення напруги джерела Е3 вибрати сотні мікровольт.

9. Змінюючи частоту коливань джерела Е3 зняти покази амперметрів А1 та А2 і записати у таблицю.

Табл. 1.3

f, МГц	0,5
IB, мкА	10,66	10,78	11,24	12,67	13.07	18.21	19.47	19.86	19.96	19.99
IC, мкА	518,6	516,2	506,9	474,2	464.2	253.7		73.93	36.02	17.52
β	48,6	47,9	45,1	37,4	35.5	13.9	7.2	3.7	1.8	0.9

1. Побудувати графік залежності β =f(ω) у логарифмічному масштабі по осі абсцис.

Користуючись графіком визначити частоту зрізу і частоту одиничного підсилення.

Дата добавления: 2015-08-10