Запись данных в память или внешнее устройство

Процесс записи данных в память иллюстрируется на схеме, показанной на рис. 3.5 и временных диаграммах на рис. 3.6. Временные диаграммы описывают только цикл М₃ записи в память. Сам цикл М₃ входит в группу циклов, составляющих команду. Например: команда пересылки константы 01 в ячейку памяти описывается в условных обозначениях как

MVI M, 01

Эта команда выполняется за три цикла: М₁, М₂ и М₃.

Во время этого цикла происходят следующие действия.

На такте Т₁ по положительному фронту Ф₂ программный счетчик PC в МП выдает на ША МП адрес ячейки памяти, в которую будет производиться запись данного, а на ШД МП присутствует код слова состояния (PSW).

На такте T₂ формируется импульс записи в РгСС и слово состояния записывается в регистр. По положительному фронту Ф₂ оканчивается синхросигнал SYNC (СИНХР), а на ШД МП двоичный код является кодом данных, подлежащих записи в память.

На такте Т₃ на выходе МП формируется сигнал с уровнем "0", по которому будет проходить запись данных в память. Из этого сигнала и разряда Д₄ ОUТ (ВЫВОД) регистра РгСС формируется сигнал , разрешающий запись в память (рис.3.5). Непосредственно запись кода данных в память осуществляется по сигналу Ф₂.

На протяжении всего машинного цикла записи данных в память сигнал DBIN(П) МП находится в нулевом состоянии, что переключает двунаправленный формирователь ШД в направлении передачи МП в системную шину МПС.

Процесс записи данных во внешнее устройство ВУ аналогичен записи данных в память. Отличие заключается в способе формирования системного сигнала записи . Как видно из уравнений 3.1 (3.1а), в формировании этого сигнала участвует инверсия сигнала разряда Д₄ OUT (ВЫВОД) регистра слова состояния РгСС.

Рисунок 3.5 Схема записи данных в памяти.

Рисунок 3.6 - Временная диаграмма цикла М₃ записи данных в память

Дата добавления: 2015-07-20