Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Переходные процессы в схеме ключа

Модуляция ширины канала | Статические ВАХ ПТ с управляющим р -n переходом | Схема с ОБ | Схема с ОК | Схема с ОЭ | Выходная характеристика | Системы малосигнальных параметров БТ | Выходная динамическая характеристика (для схемы ОЭ) | Входная динамическая характеристика | Транзистор в ключевом режиме работы. |


Читайте также:
  1. A) Законы безусловно-определенные, исключающие всякий произвол судьи;
  2. I) Управляемые и неуправляемые процессы антикризисного управления
  3. I. Итоговая государственная аттестация включает защиту бакалаврской выпускной квалификационной работы
  4. II. Социальные процессы и поведение человека
  5. II.Включение подогревателей в схеме РППВ.
  6. III. Познавательные процессы личности
  7. Lt;question>Процесс дисконтирования заключается в

Качество транзисторного ключа определяется минимальным падением напряжения на нем в замкнутом состоянии, минимальным током в разомкнутом состоянии, а также скоростью перехода из одного состояние в другое.

Осциллограммы входных и выходных напряжений и токов показаны на рис.14

 

Время включения определяется временем задержки включения и временем нарастания (рис.14) и обусловлено отставанием коллекторного тока от тока базы

tвкл = tзад + tнар, (14)

 

а время выключения - временем рассасывания и временем спада

 

tвыкл = tрасс + tсп, (15)

 

Рис.14 Осциллограммы напряжений и токов

 

Задержка выключения обусловлена рассасыванием заряда неосновных носителей в базе (см. изменение полярности тока базы, задержка восстановления напряжения на коллекторе на рис.14).

 

Особенностью транзистора, работающего в ключевом режиме, является то, что значительная мощность выделяется на нем только в течение перехода из открытого состояния к запертому и обратно (на активном участке характери­стики). Поэтому среднее за период значение мощности, рассеиваемой на тран­зисторе, мало, что позволяет допускать мгновенные значения токов коллектора и эмиттера в 2 - 3 раза больше паспортных, предельных для режима усиления значений, не опасаясь перегрева транзистора.


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 67 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Запирание транзистора (режим отсечки)| Фома Аквінський

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)