Читайте также:
|
Качество транзисторного ключа определяется минимальным падением напряжения на нем в замкнутом состоянии, минимальным током в разомкнутом состоянии, а также скоростью перехода из одного состояние в другое.
Осциллограммы входных и выходных напряжений и токов показаны на рис.14
Время включения определяется временем задержки включения и временем нарастания (рис.14) и обусловлено отставанием коллекторного тока от тока базы
tвкл = tзад + tнар, (14)
а время выключения - временем рассасывания и временем спада
tвыкл = tрасс + tсп, (15)
Рис.14 Осциллограммы напряжений и токов
Задержка выключения обусловлена рассасыванием заряда неосновных носителей в базе (см. изменение полярности тока базы, задержка восстановления напряжения на коллекторе на рис.14).
Особенностью транзистора, работающего в ключевом режиме, является то, что значительная мощность выделяется на нем только в течение перехода из открытого состояния к запертому и обратно (на активном участке характеристики). Поэтому среднее за период значение мощности, рассеиваемой на транзисторе, мало, что позволяет допускать мгновенные значения токов коллектора и эмиттера в 2 - 3 раза больше паспортных, предельных для режима усиления значений, не опасаясь перегрева транзистора.
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 67 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Запирание транзистора (режим отсечки) | | | Фома Аквінський |