Введение. Московский государственный университет

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ПРИБОРОСТРОЕНИЯ И ИНФОРМАТИКИ

Кафедра ПР-7 «Персональная электроника»

УТВЕРЖДАЮ

Заведующий кафедрой ПР-7

_________ (Сахаров Ю. С.)

«___»_________2007г.

Для студентов 3_ курса факультета ПР

Специальности 210201

кандидат технических наук, доцент, Воробьев В.Л.

ЛЕКЦИИ

по дисциплине 2729 «Физические основы микроэлектроники»

Обсуждены на заседании кафедры

«__»___________2007г.

Протокол № __

МГУПИ – 2007г.

Рекомендуемая литература

1. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. - М; «Радио и связь», 1990.

2. Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Твердотельная микроэлектроника. - М; «Высшая школа», 1986.

3. Воробьев В.Л. Физические основы управления качеством микроэлектронных устройств. Уч. пособие. - М; МГАПИ, 2001.

4. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. Уч. пособие, 2-е издание. - М; Лаборатория Базовых Знаний, 2001.

5. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М;

Энергия. 1980.

ПЛАНЫ ЛЕКЦИЙ:

План каждой лекции представлен заголовками подразделов, имею­щи­ми­­ся в текстах лекций.

Вводная часть каждой лекции (Введение) отражает краткое изложение материала лекции и связь с предыдущим материалом.

Заключительная часть лекции (Заключение) отражает краткие выводы по теме лекции, вопросы по сути лекции и рекомендации по освоению мате­риала (ссылки на литературу и другие источники, а также на сложные и клю­чевые моменты в лекции).

На введение и заключение предусматривается отводить не более, чем по 5 минут учебного времени

Введение

Физическими носителями информации являются электромагнитные в том числе оптические процессы. Исходным свойством таких процессов является свойство электропроводности твердых тел, в частности полупроводников, определяющее токовые процессы. Внешним проявлением свойства электропроводности являются вольтамперные характеристики (ВАХ), как линейные так и нелинейные, на основе которых создаются и функционируют соответствующие элементы микроэлектроники. С физической точки зрения электрический ток характеризуется причинным (направленным) движением свободных носителей электрического заряда. Данное определение токовых процессов содержит две основные составляющие. Первая составляющая включает наличие и физическое содержание свободных носителей заряда, именно свободных, которые могут принимать участие в токовых процессах. Вторая составляющая включает причины направленного движения таких зарядов, именно направленного, а не хаотического (теплового) движения, определяющего свойства токовых процессов. По существу, расшифровка и конкретизация этих составляющих и физического содержания токовых процессов в целом в материалах и изделиях микроэлектроники является основной задачей данной дисциплины. В конспекте кратко изложены основные понятия и принципы физических основ микроэлектроники с целью ориентации студентов в данной области. Для подробного изучения предмета необходимо воспользоваться рекомендуемой литературой.

Дата добавления: 2015-07-25