Читайте также:
|
Санкт-Петербургский
Государственный университет телекоммуникаций
Им. проф. М.А. Бонч-Бруевича
Кафедра “Проектирования электронных средств”
Лабораторная работа Ф9-2
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В СОБСТВЕННЫХ НЕВЫРОЖДЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
Выполнил:Миронов В.О.
Студент группы ТСС-01
(отметка о зачете)
Санкт-Петербург
-2012-
Лабораторная работа Ф 9-2
Определение температурной зависимости концентрации носителей заряда в собственных невырожденных полупроводниках
Цель работы
Исследование температурной зависимости концентрации носителей заряда в невырожденном собственном полупроводнике
Задание к работе Ф9-2
Ознакомиться с выводом формулы и методом вычисления температурной зависимости концентрации носителей заряда (электронов или дырок) в собственных невырожденных полупроводниках.
Произвести расчет температурной зависимости концентрации носителей заряда в невырожденном собственном полупроводнике для двух разных полупроводников в соответствии с индивидуальным заданием.
На основе результатов расчета и, исходя из индивидуального задания, нарисовать графики температурной зависимости концентрации носителей заряда в невырожденном собственном полупроводнике для двух разных полупроводников.
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 44 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Год — в Украине проживают около 45,8 млн человек | | | Исходные данные |