Читайте также:
|
|
Основной количественной характеристикой экранирующего экрана является параметр: эффективность экранирования (Э), характеризующий степень ослабления электромагнитного поля по сравнению с исходным полем.
Эффективность экранирования Э выражается отношением какого либо известного параметра поля Х 0, создаваемого источником поля без экрана, к аналогичному параметру поля Х Э после экранирования в той же точке пространства:
Э = Х 0/ Х Э. (8.66)
В данном случае параметр Э является безразмерным.
Иногда для удобства анализа параметр эффективность экранирования оценивают величиной А, выражаемой в децибелах (дБ), используя соотношение
А = 20·lgЭ, дБ. (8.67)
Экспериментальное значение эффективности экранирования Ээксп может быть рассчитано посредством измерения:
– напряженности электрического поля:
Ээксп = Е 0/ Е Э; (8.68)
– напряженности магнитного поля:
Ээксп = Н 0/ Н Э; (8.69)
– индукции магнитного поля:
Ээксп = В 0/ В Э, (8.70)
где индексы ″0″ и ″Э″ – характеризуют испытания полей без экрана и с экраном, соответственно.
Теоретически, когда магнитные свойства экрана известны, параметр эффективности экранирования Этеор магнитостатическим экраном рассчитывается по эмпирическому соотношению:
Этеор = 1 + m d / D, (8.71)
где m - известное значение относительной магнитной проницаемости материала экрана; d – толщина стенок экрана; D - диаметр так называемого эквивалентного сферического экрана, причем значение D близко к длине стенки условного кубического экрана (рис. 8.10, б).
Например, для магнитостатического экранирования (постоянное магнитное поле) рассмотрим объем пространства размерами 1х1х2 м3. Тогда приближенно диаметр D эквивалентного сферического экрана можно принять как D ≈ 1 м.
В том случае, когда величина m = 100 (сталь), d = 2 мм = 2×10–3 м, имеем:
Этеор = 1+ 100×2×10–3/1 = 1,2; A теор = 20lg1,2 = 1,6 дБ.
Если величина m = 10000 (легированная сталь) при d = 2 мм, то имеем:
Этеор = 1+ 10000×2×10–3/1 = 21; A теор = 20×lg21 = 26 дБ.
Другими словами, замена защитной оболочки из обычной стали экраном из специальной легированной магнитной стали приводит к возрастанию параметра эффективности экранирования А теор в более чем 16 раз.
На низких частотах теоретическое значение эффективности экранирования Э определяется по приближенной формуле
Этеор = , (8.72)
где ω = 2π f – угловая частота поля, с-1; γ – удельная проводимость материала экрана, См×мм-1; D – ширина коробки прямоугольного экрана или диаметр цилиндрического (сферического) экрана, см; d – толщина стенок экрана, мм; m – коэффициент формы экрана (m = 1 для прямоугольного, 2 – для цилиндрического; 3 – для сферического экрана); μ0 = 1,25×10–8 Гн/см.
Например, при частоте 50 Гц для цилиндрического экрана из обычной стали диаметром 100 cм и толщиной 0,2 cм имеем
Этеор = {1 + [2×3,14×50×1,25×10-8108×100×0,2/(2×2)]2}1/2 = 133,
A теор = 42 дб.
Другими словами, экранирование на частоте 50 Гц (А теор = 42 дБ) более эффективное по сравнению с защитой от постоянного магнитного поля
(А теор = 1,6 дБ).
В частности, на низких частотах глубина проникновения поля в раз-личные материалы составляет от 1 до 3 мм; для стали (m =100-500) на низких частотах толщина экрана должна быть примерно 1 мм.
Эффективность экрана на разных частотах существенно зависит от его толщины: при увеличении частоты толщина экрана уменьшается.
Дата добавления: 2015-07-17; просмотров: 85 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Относительно низкие частоты | | | Описание лабораторной установки |