Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Исследование диода Шоттки или p-n-перехода варикапа с помощью вольт-фарадных характеристик

Рабочая тетрадь | Обработка результатов измерений | Формирование отчета | Исследование полупроводникового материала методом эффекта Холла | Сформировать и отпечатать отчет | Основные положения теории контактных явлений | Описание работы лабораторного стенда. | Окно схемы измерений |


Читайте также:
  1. Describing the employee-­ Характеристика служащего
  2. Flash Film Works выполняет композитинг фильма «Шпион» с помощью Fusion Studio
  3. I САМО-ИССЛЕДОВАНИЕ.
  4. I. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
  5. II. 1. Общая характеристика отклоняющегося поведения несовершеннолетних
  6. II. ЛЕ БОН И ЕГО ХАРАКТЕРИСТИКА МАССОВОЙ ДУШИ
  7. II. ПРИЕМЫ ИММОБИЛИЗАЦИИ И ХАРАКТЕРИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ

1. Для измерения вольт-фарадной характеристики выберите схему измерений №2.

2. По указанию преподавателя выбрать встроенный образец (диод Шоттки или варикап) или подключить внешний образец, учитывая полярность подключения выводов структуры, которая в дальнейшем влияет на пределы изменения напряжения смещения на структуре.

3. На схеме измерений активизируйте функциональный генератор и характериограф.

4. Установите на характериографе необходимый предел измерения емкости, превышающий максимальную емкость структуры, и амплитуду измерительного сигнала 25 мВ.

5. Установите на функциональном генераторе необходимые границы изменения напряжения смещения (для внешнего образца необходимо учитывать полярность подключения его выводов, поскольку, в этом случае программно не ограничиваются значения прямого и обратного напряжения на структуре) и включите функциональный генератор.

6. После измерения вольт-фарадной характеристики создайте или откройте существующую «Рабочую тетрадь» и запишите результаты измерения нажатием кнопки «Записать».

7. Для измерения вольт-амперной характеристики выберите схему измерений № 3.

8. На схеме измерений активизируйте функциональный генератор и осциллограф.

9. Установите на функциональном генераторе необходимые границы изменения напряжения смещения и включите функциональный генератор.

10. Создайте в «Рабочей тетради» новую таблицу и запишите результаты измерения ВАХ в таблицу, нажав кнопку «Записать».

11. Для осуществления расчетов откройте окно «построитель выражений», нажмите кнопку «Новое».

12. Запишите выражение для расчета .

13. Постройте графики измеренных зависимостей C = f(V) и G=f(V) и , для чего в «области управления» «Рабочей тетради» нажмите кнопку «График».

14. Постройте прямую линию для определения тангенса угла наклона зависимости .

15. Рассчитайте концентрацию примеси в полупроводнике по формуле:

. (32)

16. Рассчитайте толщину области объемного заряда исходя из концентрации примеси и по формуле плоского конденсатора (1.2а) для одного из значений напряжения смещения. Объясните причину расхождения результатов расчета.


Дата добавления: 2015-11-14; просмотров: 29 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Управляющие и регистрирующие инструменты| Le theme du travail. La liste des traductions

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)