Напряжение на нём стремится к величине»(Eк – Uэ1). Когда напряжение на конденсаторе достигнет нуля, транзистор VT2 откроется, напряжение на эмиттерах транзисторов возрастёт, транзистор VT1 прикроется, напряжение на его коллекторе возрастет и наступит лавинообразный процесс. Ждущий мультивибратор вернётся к исходному состоянию. Конденсатор С вновь зарядится почти до полного напряжения питания. Это состояние ждущий мультивибратор будет сохранять до прихода следующего запускающего импульса.
18 Схема ждущего мультивибратора с эмиттерной связью. Основные соотношения для расчета параметров выходных импульсов.
Ждущий мультивибратор с эмиттерной связью предназначен:
для формирования прямоугольных импульсов заданной длительности и амплитуды;
для задержки импульсов на заданное время.
Длительность импульса, формируемого на коллекторе транзистора VT2, описывается приближенным соотношением:
tu» 0,7*C*(Rэ + Rб).
Время восстановления зависит от времени заряда конденсатора С и находится из соотношения
tв» 3*C*(Rк1 + Rэ).
Для нормальной работы необходимо, чтобы к приходу следующего запускающего импульса, процесс восстановления закончился. Отсюда следует, что период запускающих импульсов не может быть менее
T = tu + tв.
Амплитуда выходного импульса
Uм = En * Rк2 / (Rк2 + Rэ).
19 Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом. Стоко-затворные и выходные характеристики.
Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, работа которого основана на модуляции сопротивления полупроводникового материала поперечным электрическим полем.
Полевые транзисторы часто называют униполярными.
Полевые транзисторы бывают двух видов;
с управляющим p-n-переходом;
со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзистор). Часто в качестве диэлектрика применяют окисел кремния, поэтому их иногда называют МОП-транзистор.
МДП-транзисторы могуь быть двух типов:
транзисторы с встроенным каналом;
транзисторы с индуцированным каналом.
Полевой транзистор представляет собой монокристалл полупроводника, по торцам которого сформированы электроды, а посередине созданы две области противоположного типа проводимости и выводы от этих областей. Тогда на границе раздела областей с различным типом проводимости возникнет р-n -переход.
Для эффективного управления выходным током материал основного полупроводника должен быть высокоомным. Кроме того, начальная ширина канала должна быть достаточно малой – порядка нескольких микрон.
Электрод, от которого движутся основные носители заряда в канале, называют истоком, а электрод, к которому движутся, - стоком. Управляющий электрод называют затвором.
Рассмотрим физические процессы.
При изменении входного напряжения изменяется обратное напряжение на переходе и от этого изменяется его ширина. Соответственно изменяется площадь поперечного сечения канала, через который проходит поток основных носителей заряда.
Управляющее действие затвора наглядно иллюстрирует стоко-затворная характеристика Ic= ¦(Uзи) при Uси= const.
При Uзи =0 сечение канала наибольшее, его сопротивление минимально, и, следовательно, ток максимален. При увеличении Uзи площадь поперечного сечения канала уменьшается, ток снижается, При некотором запирающем напряжении, называемом напряжением отсечки, площадь поперечного сечения станет равной нулю и ток стока будет очень мал.
Стоко-затворная х. Выходная х.
20 Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом. Эквивалентная схема.
Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, работа которого основана на модуляции сопротивления полупроводникового материала поперечным электрическим полем.
Полевые транзисторы часто называют униполярными.
Полевые транзисторы бывают двух видов;
с управляющим p-n-переходом;
со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзистор). Часто в качестве диэлектрика применяют окисел кремния, поэтому их иногда называют МОП-транзистор.
МДП-транзисторы могуь быть двух типов:
транзисторы с встроенным каналом;
транзисторы с индуцированным каналом.
Полевой транзистор представляет собой монокристалл полупроводника, по торцам которого сформированы электроды, а посередине созданы две области противоположного типа проводимости и выводы от этих областей. Тогда на границе раздела областей с различным типом проводимости возникнет р-n -переход.
Для эффективного управления выходным током материал основного полупроводника должен быть высокоомным. Кроме того, начальная ширина канала должна быть достаточно малой – порядка нескольких микрон.
Электрод, от которого движутся основные носители заряда в канале, называют истоком, а электрод, к которому движутся, - стоком. Управляющий электрод называют затвором.
Рассмотрим физические процессы.
При изменении входного напряжения изменяется обратное напряжение на переходе и от этого изменяется его ширина. Соответственно изменяется площадь поперечного сечения канала, через который проходит поток основных носителей заряда.
Управляющее действие затвора наглядно иллюстрирует стоко-затворная характеристика Ic= ¦(Uзи) при Uси= const.
При Uзи =0 сечение канала наибольшее, его сопротивление минимально, и, следовательно, ток максимален. При увеличении Uзи площадь поперечного сечения канала уменьшается, ток снижается, При некотором запирающем напряжении, называемом напряжением отсечки, площадь поперечного сечения станет равной нулю и ток стока будет очень мал.
ЭКВ.СХЕМА 
Rзс, Rзи и Сзс, Сзи – сопротивление и емкости p-n-переходов, включенных в обратном направлении;
Ri=dUси/dIс при Uзи=const – дифференциальное (внутренне) сопротивление канала транзистора (сотни килоом);
Сси – емкость между стоком и истоком транзистора;
S=dIс/dUзи при Uси=const – крутизна характеристики, определяющая управляющее действие затвора;
S*Uзи – генератор тока, характеризующий усилительные свойства транзистора.
Усилительные свойства по напряжению характеризует коэффициент усиления:
m=dUси/dUзи =(dUси/dIc)*(dIс/dUзи)= Ri*S.
|
21 МДП-транзистор с встроенным каналом. Стоко-затворные и выходные характеристики.
МДП-транзистор представляет собой монокристалл полупроводника (обычно кремния), где создана электропроводность какого-либо типа. В нем созданы две области с электропроводностью противоположного типа, которые соединены между собой тонким приповерхностным слоем этого же типа проводимости. От этих двух зон сформированы электрические выводы, которые называют истоком и стоком. На поверхности канала имеется слой диэлектрика (обычно диоксида кремния) толщиной порядка 0.1 мкм, а на нем наносится тонкая металлическая пленка, от которой также делается электрический вывод – затвор. От основания (подложки (П)) делается вывод.
Длина канала составляет единицы микрометров, а ширина - сотни.
При нулевом напряжении на затворе через канал протекает ток, представляющий собой поток электронов. Через кристалл ток не протекает, так как переход находится под обратным напряжением.
При подаче на затвор отрицательного напряжения в канале создается поперечное электрическое поле, под влиянием которого электроны проводимости выталкиваются из канала. Он обедняется электронами, сопротивление его увеличивается, ток стока уменьшается. Чем больше отрицательное напряжение затвора, тем меньше этот ток. Такой режим транзистора называют режимом обеднения.
Если на затвор подать положительное напряжение, то под действием поля, созданного этим напряжением, из областей стока и истока, а также из кристалла в канал будут приходить электроны, проводимость канала увеличивается и ток стока возрастает. Этот режим называется режимом обогащения.
Режимы работы транзистора наглядно показывают стоко-затворные и выходные характеристики.
22 МДП-транзистор с встроенным каналом. Эквивалентная схема.
МДП-транзистор представляет собой монокристалл полупроводника (обычно кремния), где создана электропроводность какого-либо типа. В нем созданы две области с электропроводностью противоположного типа, которые соединены между собой тонким приповерхностным слоем этого же типа проводимости. От этих двух зон сформированы электрические выводы, которые называют истоком и стоком. На поверхности канала имеется слой диэлектрика (обычно диоксида кремния) толщиной порядка 0.1 мкм, а на нем наносится тонкая металлическая пленка, от которой также делается электрический вывод – затвор. От основания (подложки (П)) делается вывод.
Длина канала составляет единицы микрометров, а ширина - сотни.
При нулевом напряжении на затворе через канал протекает ток, представляющий собой поток электронов. Через кристалл ток не протекает, так как переход находится под обратным напряжением.
При подаче на затвор отрицательного напряжения в канале создается поперечное электрическое поле, под влиянием которого электроны проводимости выталкиваются из канала. Он обедняется электронами, сопротивление его увеличивается, ток стока уменьшается. Чем больше отрицательное напряжение затвора, тем меньше этот ток. Такой режим транзистора называют режимом обеднения.
Если на затвор подать положительное напряжение, то под действием поля, созданного этим напряжением, из областей стока и истока, а также из кристалла в канал будут приходить электроны, проводимость канала увеличивается и ток стока возрастает. Этот режим называется режимом обогащения.
Режимы работы транзистора наглядно показывают стоко-затворные и выходные характеристики.
Rзс ут, Rзи ут и Сзс, Сзи – сопротивление утечки и емкости между затвором и областями стока и истока соответственно;
Ri=dUси/dIс при Uзи=const – дифференциальное (внутренне) сопротивление канала транзистора (сотни килоом);
Сси – емкость между стоком и истоком транзистора;
S=dIс/dUзи при Uси=const – крутизна характеристики, определяющая управляющее действие затвора;
S*Uзи – генератор тока, характеризующий усилительные свойства транзистора.
Rпс, Rпи и Спс, Спи – сопротивление и емкости переходов подложка-сток и подложка-исток, включенных в обратном направлении;
23 МДП-транзистор с индуцированным каналом. Стоко-затворные и выходные характеристики.
При отсутствии напряжения на затворе тока в канале нет.
Если на затвор подать положительное напряжение, то под влиянием поля затвора электроны проводимости будут перемещаться из областей стока и истока и из p-области по направлению к затвору. Когда напряжение затвора превысит некоторое пороговое или отпирающее значение (единицы вольт), то в поверхностном слое концентрация электронов настолько увеличится, что превысит концентрацию дырок, и в этом случае произойдет инверсия типа проводимости, возникнет индуцированный канал n-типа и транзистор начнет проводить ток.
Эквивалентная схема такая же как и у МДП-транзистора с встроенным каналом.
Режимы работы транзистора наглядно показывают стоко-затворные и выходные характеристики.
24 МДП-транзистор с индуцированным каналом. Эквивалентная схема.
При отсутствии напряжения на затворе тока в канале нет.
Если на затвор подать положительное напряжение, то под влиянием поля затвора электроны проводимости будут перемещаться из областей стока и истока и из p-области по направлению к затвору. Когда напряжение затвора превысит некоторое пороговое или отпирающее значение (единицы вольт), то в поверхностном слое концентрация электронов настолько увеличится, что превысит концентрацию дырок, и в этом случае произойдет инверсия типа проводимости, возникнет индуцированный канал n-типа и транзистор начнет проводить ток.
Эквивалентная схема такая же как и у МДП-транзистора с встроенным каналом.
Режимы работы транзистора наглядно показывают стоко-затворные и выходные характеристики.
Rзс ут, Rзи ут и Сзс, Сзи – сопротивление утечки и емкости между затвором и областями стока и истока соответственно;
Ri=dUси/dIс при Uзи=const – дифференциальное (внутренне) сопротивление канала транзистора (сотни килоом);
Сси – емкость между стоком и истоком транзистора;
S=dIс/dUзи при Uси=const – крутизна характеристики, определяющая управляющее действие затвора;
S*Uзи – генератор тока, характеризующий усилительные свойства транзистора.
Rпс, Rпи и Спс, Спи – сопротивление и емкости переходов подложка-сток и подложка-исток, включенных в обратном направлении;
25 Схемы включения полевых транзисторов. Схема с общим истоком.
Различают три схемы включения полевых транзисторов. Это схемы с общим:
1 истоком;
2 стоком;
3затвором.
Имеет большой коэффициент усиления по току и по напряжению. Изменяет фазу входного сигнала на 180 градусов. Относительно большие входное и выходное сопротивления.
26 Схемы включения полевых транзисторов. Схема с общим стоком.
Различают три схемы включения полевых транзисторов. Это схемы с общим:
1 истоком;
2 стоком;
3затвором.
Подобна эмиттерному повторителю и называется истоковый повторитель. Коэффициент усиления по напряжению меньше единицы. Выходное напряжение по фазе повторяет входное. Высокое входное сопротивление и низкое выходное сопротивление.
27 Схемы включения полевых транзисторов. Схема с общим затвором.
Различают три схемы включения полевых транзисторов. Это схемы с общим:
1 истоком;
2 стоком;
3затвором.
Аналогична схеме с общей базой. Не дает усиления по току и поэтому коэффициент усиления по мощности незначителен. Входное сопротивление мало, так как входным током является ток истока. Фаза напряжения при усилении не изменяется.
28 Классификация усилителей.
Усилителем называется устройство, с помощью которого путем затрат небольшого количества энергии можно управлять энергией значительно большей.
Дата добавления: 2015-11-16; просмотров: 59 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| UVT1БЭ ® IБ1 ® IК1 ® URК1 ® UК1¯ ® UБ2¯ ® IБ2¯ ® IК2¯ ® IЭ2¯ ® URЭ¯ ® UVT1БЭ . | | | Классификация усилителей |