После открывания диода можно записать UVD1 = URб +Uбк, откуда
Uбк = UVD1- URб<0,
т. е. Uбк будет всегда отрицательным, поэтому переход транзистора VT1 в режим насыщения становится невозможным.
Часто резистор Rб заменяют диодом с прямым напряжением, большим, чем у диода VD1. Обычно такой диод выбирают кремниевым, если диод является германиевым, то применяют последовательно включение однотипных диодов.
7 Транзисторный ключ с диодом Шотки.
В исходном состоянии Uвх<0, транзистор VT1и диод VD1 закрыты. Если в процессе открывания транзистора потенциал коллектора становится ниже потенциала базы, диод открывается и на нем устанавливается прямое напряжение. Поскольку это напряжение меньше 0,5 В, то коллекторный переход практически закрыт, а следовательно, не возникает режима насыщения и связанных с ним двойной инжекции и накопления избыточных зарядов. Благодаря этому при закрывании транзистора исключается задержка, вызываемая рассасыванием избыточного заряда.
Этот ключ характеризуется высоким быстродействием. К недостаткам следует отнести более высокое остаточное напряжение на коллекторе транзисторе в открытом состоянии, которое обычно составляет 0,2-0,4 В.
8 Схема симметричного триггера. Принцип работы.
Состоит из двух идентичных транзисторных ключей, охваченных перекрестной положительной ОС. Выход первого ключа соединен со входом второго, а выход второго ключа – со входом первого.
Триггером называется устройство с положительной обратной связью (ПОС), которое имеет два состояния устойчивого равновесия и может скачкообразно переходить из одного состояния в другое под воздействием управляющего напряжения.
Наибольшее распространение получил триггер на основе многокаскадных ключей с ПОС. Если все ключи триггера реализованы по идентичным схемам, то его называют симметричным.
9 Симметричный триггер. Эквивалентная схема. Условия нахождения транзистора в режимах отсечки и насыщения.
Полная схема: 
Триггер имеет два состояния устойчивого равновесия: VT1 в режиме насыщения, VT2 в режиме отсечки и наоборот.
Пусть в исходном состоянии VT1 в режиме насыщения, а VT2 в режиме отсечки. Эквивалентная схема имеет вид.
Для выполнения условия насыщения транзистора VT1 необходимо:
Iб1 >Iбн = Iкн / b = Ek / (Rk * b).
Из эквивалентной схемы:
Iбн = (Eк - Iкбо*Rк)/(Rк+R) - Eб/Rб ³ Eк/(Rк*b).
Для обеспечения нахождения транзистора VT2 в режиме отсечки необходимо выполнение условия:
Uбэ<0; Uбэ = - Eб*R/(R+Rб) + Iкбо*R||Rб < 0,
откуда
Eб*R/(R+Rб) > R*Rб/(R+Rб)*Iкбо; Eб > Rб*Iкбо.
Так как триггер выполнен по симметричной схеме, то условия насыщения и запирания в другом состоянии аналогичны.
10 Симметричный триггер. Этапы переключения триггера.
Полная схема: 
Триггером называется устройство с положительной обратной связью (ПОС), которое имеет два состояния устойчивого равновесия и может скачкообразно переходить из одного состояния в другое под воздействием управляющего напряжения.
Наибольшее распространение получил триггер на основе многокаскадных ключей с ПОС. Если все ключи триггера реализованы по идентичным схемам, то его называют симметричным.
Рассмотрим процесс перехода триггера из одного состояния устойчивого равновесия в другое под воздействием закрывающего импульса, поданного на базу первого транзистора. Условно этот процесс разбивают на четыре этапа.
Первый этап. Рассасывание избыточных носителей в области базы VT1. Внешних изменений в схеме не наблюдается. Заканчивается выходом VT1 из насыщения и восстановлением усилительных свойств.
Второй этап. Переход транзистора VT2 из режима отсечки в активный режим и восстановление усилительных свойств.
Третий этап. Выполняются условия регенерации; k1*k2³1, jk1+jk2=2p.
Триггера скачкообразно переходит из одного состояния устойчивого равновесия в другое:
Дата добавления: 2015-11-16; просмотров: 45 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Iкбо * Rб < Uвх. | | | Eп® Rк® C ®VT2® -Eп. |