Эквивалентная схема ключа в режиме отсечки

Uбэ £ 0; Uбк £ 0.

Поскольку коллекторный переход всегда смещен в обратном направлении, то условие отсечки упростится U_бэ £ 0.

Различают режимы глубокой и неглубокой отсечки. Для режима глубокой отсечки необходимо выполнение условий: U _бэ ³ (3¸5)j_т; U _бк ³ (3¸5) j_т. В этом случаеI_к = I_кбо; I_б = -I_кбо; I_э = - (b_I / b_N) I_кбо» 0.

2 Ключ на биполярном транзисторе. Эквивалентная схема в режимах отсечки и насыщения. Основные соотношения.

Предназначены для коммутации электрических сигналов. Их, в основном, выполняют на полупроводниковых приборах: диодах, транзисторах (биполярных и полевых).

Наиболее распространенными являются транзисторные ключи. На их основе строят триггеры, мультивибраторы, коммутаторы, блокинг-генераторы и т.д.

Схемы ключей весьма различны, но наибольшее распространение получил транзисторный ключ на основе каскада с ОЭ.Ключ в статическом режиме имеет два стационарных состояния: транзистор закрыт и рабочая точка находится в области отсечки, транзистор открыт и рабочая точка находится в области насыщения или в активной области.

При переходе ключа под воздействием входного напряжения из одного стационарного состояния в другое рабочая точка перемещается по динамической характеристике через активную область и ключ работает как обычный линейный усилитель. Этот режим называют переходным или динамическим. При этом длительность переходного режима обычно значительно меньше, чем время нахождения ключа в стационарном режиме.

Эквивалентная схема ключа в режиме отсечки

Дата добавления: 2015-11-16