Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Особенности технологии и производства ИС

Как создаются чипы | Производство подложек | Легирование, диффузия | Создание маски | Фотолитография | Травление и очистка | Тестирование процессора | Ключевая схема на биполярном транзисторе | Ключевая схема на полевых транзисторах | Ключевая схема на комплементарных транзисторах |


Читайте также:
  1. B. Разумность продолжительности производства по делу
  2. CASE-технологии: определение и описание.
  3. d. Выдача документа АР МАК об одобрении производства
  4. I.I. Предмет фразеологии. Виды и признаки фразеологизмов. Особенности перевода фразеологизмов.
  5. IV. Организация делопроизводства по обращениям (запросам) граждан
  6. Iужно обратить внимание на двойственную природу предлагае­IbIX обстоятельств в искусстве эстрады вообще, и в конферансе в особенности.
  7. V. Образовательные технологии

При изготовлении интегральных схем используется групповой метод производства и в основном планарная технология.

Групповой метод производства предполагает изготовление на одной полупроводниковой пластине большого количества однотипных ИС и одновременную обработку десятков таких пластин. После завершения цикла изготовления пластины разрезаются в двух взаимно перпендикулярных направлениях на отдельные кристаллы – чипы (chip), каждый из которых представляет собой ИС.

Планарная (плоскостная) технология – это такая организация технологического процесса, при которой все составляющие ИС формируются в одной плоскости.

Необходимо отметить, что создание и освоение изделий микроэлектроники является чрезвычайно дорогостоящим делом.

Стоимость D одной ИС (одного кристалла) упрощенно можно вычислить следующим образом:

,

где A – затраты на НИР и ОКР по созданию ИС; B – затраты на технологическое оборудование; С – текущие расходы на материалы, электроэнергию, заработную плату в пересчете на одну пластину; Z – количество пластин, изготавливаемых до амортизации основных производственных фондов; X – количество кристаллов на пластине; Y – отношение годных ИС к количеству, запущенных в производство.

Увеличение Y достигается совершенствованием технологии, а рост числа кристаллов X достигается увеличением размера пластины и уменьшением размеров элементов ИС.


Дата добавления: 2015-07-11; просмотров: 85 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Функциональная сложность интегральных схем| Полупроводниковые интегральные схемы

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)