Расчет и выбор элементов выпрямителя.

Потери в IGBT в проводящем состоянии:

, (3.2)

где - максимальная амплитуда тока на входе инвертора;

- максимальная скважность;

- коэффициент мощности;

U_се(sat) = 2,2 В – прямое падения напряжения на IGBT в насыщенном состоянии при

Вт.

Потери IGBT при коммутации:

(3.3)

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

НАЗВАНИЕ ДОКУМЕНТА

где - продолжительность переходных процессов по цепи коллектора IGBT на открывание и закрывание транзистора, (типовое значение ; );

- напряжение на коллекторе IGBT, В (коммутируемое напряжение, равное напряжению звена постоянного тока для системы АИН-ШИМ);

Гц- частота коммутаций ключей, Гц (частота ШИМ).

Вт.

Суммарные потери IGBT:

(3.4)

Вт.

Потери диода в проводящем состоянии:

(3.5)

где - максимальная амплитуда тока через обратный диод;

- прямое падение напряжения на диоде (в проводящем состоянии) при .

Вт.

Потери при восстановлении запирающих свойств диода:

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

НАЗВАНИЕ ДОКУМЕНТА

где - амплитуда обратного тока через диод (), А

- продолжительность импульса обратного тока, (типовое значение 0,2 мкс).

Суммарные потери диода:

(3.7)

Результирующие потери в IGBT с обратным диодом:

(3.8)

Среднее выпрямленное напряжение:

Максимальное значение среднего выпрямленного тока:

где n-количество пар IGBT/FWT в инверторе, n=6.

Максимальный рабочий ток тиристора:

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

НАЗВАНИЕ ДОКУМЕНТА

где - для мостовой трехфазной схемы при оптимальных параметрах Г- обратно LC- фильтра, установленного на выходе выпрямителя.

Максимальное обратное напряжение тиристора:

где коэффициент допустимого превышения напряжения сети;

коэффициент запаса по напряжению; запас на коммутационные выбросы напряжения в звене постоянного тока.

Дата добавления: 2015-11-04